Dia 51mm сторона вафли субстрата сапфира 2 дюймов двойная отполировал вафлю DSP
Описание
Al2O3 одиночное кристаллическое (сапфир, также известный как белые камни, сапфир) имеет хорошие термальные свойства, превосходные электрические характеристики и диэлектрические свойства, и корозию анти--химиката, его высокотемпературная, термальная проводимость, высокая твердость, ультракрасное прозрачное, химически стабилизированное хорошее. Широко использованный в высокотемпературный ультракрасный субстрат эпитаксиальной пленки материалах окна и нитриде III-V и разнообразие материалы для встречи потребности растущей сини, пурпурного, белого светоизлучающего диода (СИД) и лазера сини (LD), компания Кристл ветви специализируя в продукции высококачественного отполированного сапфирового стекла и эпитаксиальные субстраты обеспечат вас с много субстратом высококачественных и низкой цены monocrystalline.
Спецификация
| Параметр |
Спецификация |
| Материал |
Особая чистота >99.995% |
| Диаметр |
51±0.1mm |
| Толщина |
300+10/-15μm |
| Ориентировка кристаллов |
C-самолет 0° к M-оси ±0.2°
C-самолет 0° к -оси ±0.2° |
| Смычок |
≤10μm |
| Искривление |
≤15μm |
| TTV |
≤7μm |
| Шершавость лицевой стороны |
≤0.5nm |
| Задняя бортовая шершавость |
≤0.5nm |
| Край вафли |
Тип r |
| Округлость |
≤0.05mm |
| Прозрачность |
410~780nm: ≥85% |
| ROR |
Min≥200N |
| Проводки |
≥1450 |
| Возникновение |
Царапина: ≤0.1mm ≤2
Пузырь: Dia≤0.1mm ≤3 |
Сторону двойника 2inch DSP отполировала субстраты сапфира можно изготовить от высококачественных оптически сапфировых стекол ранга выросли Kyropoulos, который.
субстрат сапфира особой чистоты одиночный кристаллический эпитаксиальный соответствующий для сразу эпитаксиального процесса, процесса PSS, процесса ALN и других эпитаксиальных методов. Он имеет характеристики равномерной длины волны, высокая яркость и небольшое STD мы можем признавать изготовление на заказ продукта для технических данных, и производим субстраты сапфира одиночные/двойные полируя с различными внешними размерами основанными на c (0001), a (11-20) и ориентировках кристаллов m (1100), с зазубриной или прямыми ориентировками кристаллов края.
