6 дюймовый SiC Wafer 4H/6H-P Кремниевой карбидный субстрат DSP (111) Полупроводники RF Микроволновые светодиодные лазеры

6 дюймовый SiC Wafer 4H/6H-P Кремниевой карбидный субстрат DSP (111) Полупроводники RF Микроволновые светодиодные лазеры

Описание SiC Wafer:

6-дюймовый пластинка из карбида кремния (SiC) типа P в политипе 4H или 6H. Он имеет аналогичные свойства с пластинкой из карбида кремния (SiC) типа N, такие как высокотемпературная устойчивость,высокая теплопроводность, высокая электрическая проводимость и т. Д. Си-Си-субстрат типа P обычно используется для производства силовых устройств, особенно для производства изолированных биполярных транзисторов (IGBT).Проектирование IGBT часто включает P-N соединения, где SiC P-типа может быть выгодным для управления поведением устройств.

Характер Си-Си вафры:

1Сопротивление радиации:
Карбид кремния обладает высокой устойчивостью к повреждению радиацией, что делает пластинки 4H/6H-P SiC идеальными для использования в космических и ядерных приложениях, где воздействие радиации значительно.

2Широкий диапазон:
4H-SiC: пробел в диапазоне составляет приблизительно 3,26 eV.
6H-SiC: разрыв в диапазоне немного ниже, примерно 3,0 eV.
Эти широкие пробелы позволяют пластинкам SiC работать при более высоких температурах и напряжениях по сравнению с материалами на основе кремния, что делает их идеальными для силовой электроники и экстремальных условий окружающей среды.
3Электрическое поле высокого разрыва:
Си-цилиндровые пластинки имеют гораздо более высокое расщепление электрического поля (около 10 раз больше, чем у кремния). Это позволяет разработать более мелкие, более эффективные устройства питания, которые могут обрабатывать высокое напряжение.
4Высокая теплопроводность:
SiC имеет отличную теплопроводность (примерно в 3-4 раза выше, чем кремний), что позволяет устройствам, изготовленным из этих пластин, работать на высокой мощности без перегрева.Это делает их идеальными для высокопроизводительных приложений, где рассеивание тепла является критическим.
5Высокая мобильность электронов:
4H-SiC имеет более высокую мобильность электронов (~ 950 см2/Вс) по сравнению с 6H-SiC (~ 400 см2/Вс), что означает, что 4H-SiC более подходит для высокочастотных приложений.
Эта высокая мобильность электронов позволяет быстрее переключать скорости в электронных устройствах, что делает 4H-SiC предпочтительным для RF и микроволновых приложений.
6Температурная устойчивость:
SiC пластинки могут работать при температуре намного выше 300 ° C, намного выше, чем устройства на основе кремния, которые обычно ограничены 150 ° C. Это делает их очень желательными для использования в суровых условиях,такие как автомобильные, аэрокосмических и промышленных систем.
7Высокая механическая прочность:
Сиркокарбонатные пластины обладают превосходной твердостью и устойчивостью к механическим нагрузкам, поэтому они подходят для использования в средах, где физическая долговечность является необходимой.

Форма SiC-вофлеров:

Использование Си-Си-Возера:

Электротехника:

Используется в диодах, MOSFET и IGBT для высоковольтных, высокотемпературных приложений, таких как электромобили, электросети и системы возобновляемой энергетики.
РЧ и микроволновые устройства:

Идеально подходит для высокочастотных устройств, таких как УЗИ и радарные системы.
Светодиоды и лазеры:

SiC также используется в качестве субстрата для производства светодиодов и лазеров на основе GaN.
Автомобильная электроника:

Используется в компонентах силовой установки электромобилей и системах зарядки.
Воздушно-космическая и военная:

Из-за своей радиационной твердости и тепловой устойчивости, пластинки SiC используются в спутниках, военных радарах и других системах обороны.
Промышленное применение:

Используется в промышленных источниках питания, двигателях и других высокопроизводительных электронных системах.

Сценарий применения SiC Wafer:

Настройка:

Настройка пластин из карбида кремния (SiC) необходима для удовлетворения конкретных потребностей различных передовых электронных, промышленных и научных приложений.Мы можем предложить ряд настраиваемых параметров, чтобы гарантировать, что пластины оптимизированы для конкретных требований устройстваНиже приведены ключевые аспекты настройки SiC-палок:Кристаллическая ориентация; Диаметр и толщина; Тип и концентрация допинга; Поверхностная полировка и отделка; Резистивность; Эпитаксиальный слой; Ориентационные плоскости и выемки;SiC-on-Si и другие комбинации субстратов.

Упаковка и перевозка:

Часто задаваемые вопросы

1.Q: Что такое 4H и 6H SiC?
Ответ: 4H-SiC и 6H-SiC представляют собой шестиугольные кристаллические структуры, с "H", указывающей на шестиугольную симметрию, а цифры 4 и 6 - слои в их единичных ячейках.Это изменение структуры влияет на электронную структуру материала, что является ключевым определяющим фактором производительности полупроводникового устройства.

2.Q: Что такое субстрат типа P?
Ответ: материал p-типа представляет собой полупроводник, который имеет носителя положительного заряда, который известен как отверстие.который имеет на один валентный электрон меньше, чем атомы полупроводников.

Рекомендация продукта:

1.SiC Силиконовый карбид вафель 4H-N Тип для устройства MOS 2 дюйма диаметр50.6 мм

2.SiC субстрат Кремниевой карбид Subatrte 3C-N 5×5 10×10 мм