SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
КО. ТОРГОВЛЕЙ ШАНХАЯ ИЗВЕСТНОЕ, ЛТД
Add to Cart
СиО2 вафля Термооксидная лавка Толщина 20um+5% MEMS оптическая система связи
Кремниевый диоксид SIO2 служит основным элементом в производстве полупроводников.этот важный субстрат доступен в диаметре 6 дюймов и 8 дюймовВ первую очередь, он выступает в качестве основного изоляционного слоя, играя ключевую роль в микроэлектронике, обеспечивая высокую диэлектрическую прочность.Индекс преломления, примерно 1,4458 при 1550 нм, обеспечивает оптимальную производительность в различных приложениях.
Известный своей однородностью и чистотой, этот пластинка является идеальным выбором для оптических устройств, интегральных схем и микроэлектроники.Его свойства облегчают точные процессы изготовления устройств и поддерживают технологический прогрессПомимо своей основополагающей роли в производстве полупроводников, он расширяет свою надежность и функциональность на широкий спектр применений, гарантируя стабильность и эффективность.
Благодаря своим исключительным характеристикам, пластина с диоксидом кремния SIO2 продолжает стимулировать инновации в полупроводниковой технологии, позволяя достичь прогресса в таких областях, как интегральные схемы,оптоэлектроникаЕго вклад в передовые технологии подчеркивает его значение как краеугольного камня материала в области производства полупроводников.
| Параметр | Спецификация |
| Толщина | 20 мм, 10 мм, 25 мм |
| Плотность | 2533 кг/м3 |
| Толерантность толщины оксида | +/- 5% (от обеих сторон) |
| Области применения | Производство полупроводников, микроэлектроника, оптические устройства и т.д. |
| Точка плавления | 1,600° C (2,912° F) |
| Теплопроводность | Около 1,4 Вт/мк) @ 300 К |
| Индекс преломления | Примерно 1.44 |
| Молекулярная масса | 60.09 |
| Коэффициент расширения | 00,5 × 10^-6/°C |
| Индекс преломления | 550 нм из 1,4458 ± 0.0001 |
| Ультраплотные пластины из оксида кремния | Заявления |
| Окисление поверхности | Ультратонкие вафли |
| Теплопроводность | Около 1,4 Вт/мк) @ 300 К |
Настройка:
Марка:ZMSH
Номер модели:Ультраплотные пластины из оксида кремния
Место происхождения:Китай
Наш полупроводниковый субстрат имеет высокую теплопроводность, окисление поверхности и сверхплотную пластину оксида кремния.4 W/(m·K) @ 300K и точка плавления 1Точка кипения составляет 2230°С, а ориентация <100><11><110>. Молекулярная масса этого субстрата составляет 60.09.
Мы предоставляем техническую поддержку и обслуживание для нашего полупроводникового субстрата.Мы также можем оказать помощь в решении любых проблем, с которыми вы сталкиваетесь при использовании продукта.Мы также предлагаем удаленную помощь для тех, кто в ней нуждается. Наша команда поддержки доступна в обычное рабочее время, и к нам можно обратиться по телефону, электронной почте или через наш сайт.
Упаковка и транспортировка полупроводниковой подложки: