SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
КО. ТОРГОВЛЕЙ ШАНХАЯ ИЗВЕСТНОЕ, ЛТД
Add to Cart
8 дюймовый 6 дюймовый AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer для микро-LED для RF-приложения
Характеристика вафеля GaN
Нитрид галлия является одним из видов широкоразрывных полупроводников.
Высококачественный однокристаллический субстрат, изготовленный с использованием оригинального метода HVPE и технологии обработки пластинок, которая была первоначально разработана в течение 10+ лет в Китае.Особенности высококристаллические., хорошая однородность и превосходное качество поверхности. ГаН-субстраты используются для многих видов применений, для белого светодиода и LD ((фиолетовый, синий и зеленый).Развитие продвинулось в области применения мощных и высокочастотных электронных устройств.
Запрещенная полоса (излучающий и поглощающий свет) охватывает ультрафиолетовый, видимый и инфракрасный свет.
Применение
GaN может использоваться во многих областях, таких как светодиодный дисплей, высокоэнергетическое обнаружение и визуализация,
Дисплей с лазерной проекцией, устройство питания и т.д.
Спецификация продукта
| Положения | Значения/пространство применения |
| Субстрат | Да, да. |
| Диаметр пластины | 4 ¢/ 6?? / 8” |
| Толщина эпислоя | 4-5мм |
| Волокна для вафелей | < 30ммТипично |
| Морфология поверхности | RMS < 0,5 нм в 5×5 мкм² |
| Барьер | Аль.XПошли.1-XN, 0 |
| Кап. слой | In-situSiNили GaN (D-режим); p-GaN (E-режим) |
| Плотность 2DEG | > 9E12/см2(20nm Al)0.25GaN) |
| Мобильность электронов | > 1800 см2/Vs(20nm Al)0.25GaN) |
Спецификация продукта
| Положения | Значения/пространство применения |
| Субстрат | HR_Si/SiC |
| Диаметр пластины | 4/6/ дляSiC, 4 ¢/ 6 ¢/ 8 ¢ дляHR_Si |
| Эпи- толщина слоя | 2-3мм |
| Волокна для вафелей | < 30ммТипично |
| Морфология поверхности | RMS < 0,5 нм в 5×5 мкм² |
| Барьер | AlGaNилиAlNилиInAlN |
| Кап. слой | In-situSiNили GaN |
| Положения | ГаН-на-Си | ГаН на сапфире |
| 4/ 6/ 8” | 2/ 4/ 6 | |
| Толщина эпислоя | < 4μm | < 7μm |
| Средний доминирующий/пикДлина волны | 400-420nm, 440-460nm,510-530 нм | 270-280 нм, 440-460 нм,510-530 нм |
| FWHM |
< 20 нм для синего/близкого УФ < 40 нм для зеленого |
< 15 нм для УФ-В < 25 нм для синего < 40 нм для зеленого |
| Воронка для вафелей | < 50μm | < 180μm |
О НАШЕЙ фабрике OEM
Наше видение предприятия Factroy
Мы предоставим высококачественный ГаН субстрат и технологии применения для промышленности с нашей фабрикой.
Высококачественный GaN материал является ограничивающим фактором для применения III-нитридов, например, длительный срок службы
и высокой стабильности LD, высокой мощности и высокой надежности микроволновых устройств, высокая яркость
и высокоэффективные, энергосберегающие светодиоды.
- Часто задаваемые вопросы
Вопрос: Что вы можете предоставить логистику и стоимость?
(1) Мы принимаем DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF и т.д.
(2) Если у вас есть свой экспресс-номер, это здорово.
Если нет, мы можем помочь вам доставить.
В: Сколько времени на доставку?
(1) Для стандартных изделий, таких как 2 дюймовые 0,33 мм пластины.
Для инвентаря: доставка осуществляется через 5 рабочих дней после заказа.
Для индивидуальных изделий: доставка осуществляется через 2 или 4 рабочих недели после заказа.
Вопрос: Как платить?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, безопасные платежи и торговая гарантия.
Вопрос: каков MOQ?
(1) Для инвентаря MOQ составляет 5 штук.
(2) Для индивидуальных изделий MOQ составляет 5-10 штук.
Это зависит от количества и техники.
Вопрос: У вас есть отчет об инспекции материала?
Мы можем предоставить отчет ROHS и достичь отчетов для наших продуктов.