бесцветные прозрачные вафли субстратов одиночного кристалла кремниевого карбида дя 150мм особой чистоты 4Х-Н 4инч 6инч объектива вафель СиК кремниевого карбида особой чистоты 2/3/4/6инч (сик), субстраты полупроводника сик слитков сик кристаллические, вафли сик как-отрезка Кустомзид кристаллической вафли кремниевого карбида

О кремниевом карбиде (СиК) Кристл

Кремниевый карбид (СиК), также известный как карборунд, полупроводник содержа кремний и углерод с химической формулой СиК. СиК использован в приборах электроники полупроводника которые работают в условиях высоких температур или высокие напряжения тока, или ботх.СиК также один из важных компонентов СИД, это популярный субстрат для расти приборы ГаН, и оно также служит как распространитель жары в высокомощном СИД.

СВОЙСТВА 4Х-СиК одиночного Кристл

Параметры решетки: а=3.073Å к=10.053Å
Штабелировать последовательность: АБКБ
Твердость Мохс: ≈9.2
Плотность: 3,21 г/км3
Тхэрм. Коэффициент расширения: 4-5×10-6/К
Индекс рефракции: не= 2,66 но= 2,61
Диэлектрическая константа: 9,6
Термальная проводимость: а~4.2 В/км·K@298K
(Н типа, 0,02 ohm.cm) к~3.7 В/км·K@298K
Термальная проводимость: а~4.9 В/км·K@298K
(Полу-изолировать) к~3.9 В/км·K@298K
Диапазон-зазор: Диапазон-зазор 3,23 еВ: еВ 3,02
Поле нервного расстройства электрическое: 3-5×10 6В/м
Дрейфовая скорость сатурации: 2.0×105м/

Спецификация субстрата кремниевого карбида диаметра особой чистоты 4инч (СиК)

спецификации субстрата кремниевого карбида особой чистоты 4Х 4 дюймов диаметра

СВОЙСТВО СУБСТРАТА	Ранг продукции	Ранг исследования	Фиктивная ранг
Диаметр	100,0 мм +0.0/-0.5мм
Поверхностная ориентация	{0001} ±0.2°
Основная плоская ориентация	<11->20> ̊ ± 5,0
Вторичная плоская ориентация	90,0 ̊ КВ от основного ̊ ± 5,0, кремния лицевого
Основная плоская длина	32,5 мм ±2.0 мм
Вторичная плоская длина	18,0 мм ±2.0 мм
Край вафли	Чамфер
Плотность Микропипе	см2 ≤5 микропипес/	см2 ≤10микропипес/	см2 ≤50 микропипес/
Зоны Полытыпе светом высоко-интенсивности	Никакие позволили		зона ≤10%
Резистивность	≥1Э5 Ω·см		(зона 75%) ≥1Э5 Ω·см
Толщина	350,0 μм μм ± 25,0 μм или 500,0 ± 25,0 μм
ТТВ	≦10μм		μм ≦15
Смычок (абсолютная величина)	μм ≦25		μм ≦30
Искривление	μм ≦45
Поверхностный финиш	Двойной блеск стороны, КМП стороны Си (полировать химиката)
Шероховатость поверхности	Сторона Ра≤0.5 нм КМП Си		Н/А
Отказы светом высоко-интенсивности	Никакие позволили
Обломоки/инденц края диффузным освещением	Никакие позволили	Кты.2<> ширина и глубина 1,0 мм	Кты.2<> ширина и глубина 1,0 мм
Полная годная к употреблению область	≥90%	≥80%	Н/А

*Тхэ другие спецификации можно подгонять согласно требованиям к клиента

6 дюймов - высокочистые Полу-изолируя спецификации субстратов 4Х-СиК

Свойство	Ранг у (ультра)	Ранг п (продукции)	Ранг р (исследования)	Ранг д (фиктивная)
Диаметр	150,0 мм±0.25 мм
Поверхностная ориентация	± 0.2° {0001}
Основная плоская ориентация	<11-20> ̊ ± 5,0
Вторичная плоская ориентация	Н/А
Основная плоская длина	47,5 мм ±1.5 мм
Вторичная плоская длина	Никакие
Край вафли	Чамфер
Плотность Микропипе	≤1 /cm2	≤5 /cm2	≤10 /cm2	≤50 /cm2
Зона Полытыпе светом Высоко-интенсивности	Никакие			≤ 10%
Резистивность	≥1Э7 Ω·см			(зона 75%) ≥1Э7 Ω·см
Толщина	350,0 μм μм ± 25,0 μм или 500,0 ± 25,0 μм
ТТВ	μм ≦10
Смычок (абсолютная величина)	μм ≦40
Искривление	μм ≦60
Поверхностный финиш	К-сторона: Оптически полировать, Си-сторона: КМП
Шершавость (10μм ×10μм)	Ра Си-стороны КМП<> 0,5 нм			Н/А
Отказ светом Высоко-интенсивности	Никакие
Обломоки/Инденц края диффузным освещением	Никакие		Кты≤2, длина и ширина каждое<> 1мм
Полезная площадь	≥90%		≥80%	Н/А

* пределы дефектов применяются к всей поверхности вафли за исключением зоны исключения края. # царапины должны быть проверены на стороне Си только.

Бесцветный прозрачный объектив вафель СиК кремниевого карбида особой чистоты вафли кремниевого карбида

О применениях субстратов СиК

РАЗМЕР ОБЩЕГО КАТАЛОГА

Тип 4Х-Н/вафля/слитки СиК особой чистоты 2 вафля/слитки дюйма 4Х Н типа СиК 3 вафля дюйма 4Х Н типа СиК 4 вафля/слитки дюйма 4Х Н типа СиК 6 вафля/слитки дюйма 4Х Н типа СиК	4Х Полу-изолируя/вафля СиК особой чистоты 2 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК 3 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК 4 дюйма 4Х Полу-изолируя вафлю СиК 6 дюймов 4Х Полу-изолируя вафлю СиК
вафля 6Х Н типа СиК 2 вафля/слиток дюйма 6Х Н типа СиК	Размер Кустомзид для 2-6инч

Продажи & обслуживание клиента

Покупать материалов

Отдел снабжения материалов ответственен для того чтобы собрать все сырье нужное для произведения вашего продукта. Полный трасеабилиты всех продуктов и материалов, включая химический и физический анализ всегда доступен.

Качество

Во время и после изготовления или подвергать механической обработке ваших продуктов, отдел контроля качества включается в убеждаться что все материалы и допуски соотвествуют или превышают вашей спецификации.

Обслуживание

Мы гордимся в иметь штат инженерства продаж с над 5 многолетними опытами в индустрии полупроводника. Они натренированы для того чтобы ответить технические вопросы так же, как обеспечить своевременные цитаты для ваших потребностей.

мы на вашей стороне в любое время когда вы имеете проблему, и разрешаем ее в 10хоурс.

Метки товара: