
Add to Cart
монокристалл одиночного Кристл субстрата ГаСб антимонида галлия 2-4инч для полупроводника
Антимонид галлия (ГаСб) очень важный материал полупроводника бандгап ИИИ-В сразу. Основной материал для массивов детекторов и фокальной плоскости ункоолед средств-длинн-волны сверхрешетки класса ИИ ультракрасных; детекторы ункоолед средств-длинн-волны ультракрасные оно имеет преимущества длинной жизни, легковеса, высокой чувствительности и высокой надежности. Продукт широко использован в ультракрасных лазерах, ультракрасных детекторах, ультракрасных датчиках и термальных фотогальванических элементах.
Основные методы роста материалов одиночного кристалла ГаСб включают традиционную жидкост-загерметизированную технологию прям-чертежа (ЛЭК), мобильное топление/вертикальную технологию затвердевания градиента (ВГФ)/вертикал Бридгман.
2-4инч или подгонянный | |||||||
спецификация | |||||||
одиночный кристалл | допинг | тип |
Концентрация несущей иона км-3 |
тариф подвижности (км2/В.с) |
МПД (см-2) | РАЗМЕР | |
ГаСб | нет | И | (1-2) *1017 | 600-700 | <1> |
Φ2 ″ ×0.5мм Φ3 ″ ×0.5мм |
|
ГаСб | Зн | П | (5-100) *1017 | 200-500 |
<1>
|
Φ2 ″ ×0.5мм Φ3 ″ ×0.5мм |
|
ГаСб | Те | Н | (1-20) *1017 | 2000-3500 | <1> |
Φ2 ″ ×0.5мм Φ3 ″ ×0.5мм |
|
РАЗМЕР (мм) | Дя50.8кс0.5мм, 10×10×0.5мм, 10×5×0.5ммКан было подгоняно | ||||||
Ра | Шероховатость поверхности (Ра):<> | ||||||
блеск | одиночная или двойная отполированная сторона | ||||||
пакет |
ранг 100 очищая пластиковую коробку под комнатой чистки 1000 рангов |
---вопросы и ответы –
А: Вообще 5-10 дней если товары в запасе. или 15-20 дней если товары нет
в запасе, оно согласно количеству.