SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

КО. ТОРГОВЛЕЙ ШАНХАЯ ИЗВЕСТНОЕ, ЛТД

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
7 лет
Главная / продукты / Semiconductor Substrate /

2 толщина вафли 0,3 зазора субстрата фосфида галлия дюйма кристаллических сложила поверхность

контакт
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Посетите вебсайт
Город:shanghai
Область/Штат:shanghai
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrWang
контакт

2 толщина вафли 0,3 зазора субстрата фосфида галлия дюйма кристаллических сложила поверхность

Спросите последнюю цену
Видеоканал
Номер модели :2inch
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :5 шт
Термины компенсации :T / T, Western Union, MoneyGram
Способность поставкы :ТИПСЫ
Срок поставки :2-4 Weeks
Упаковывая детали :одиночная коробка вафли
Материал :кристалл очищенности 99,99% одиночный
Ориентация :111
Размер :2inch
поверхность :сложенный
Толщина :300um
Применение :электронная и электронно-оптическая индустрия
Метод роста :LEC
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

 

 

 

кристаллы кристаллический субстрат фосфида галлия 2-6 дюймов (зазора), вафля зазора

 

Консервная банка ЗМКДЖ обеспечивает вафлю зазора 2инч – фосфид галлия которые растутся ЛЭК (Кзокральски помещенным жидкостью) как епи-готовая или механическая ранг с типом н, типом п или полу-изолировать в различной ориентации (111) или (100).

Фосфид галлия (зазор), фосфид галлия, материал сложного полупроводника с зазором косвенного диапазона 2.26еВ (300К). Поликристаллический материал имеет возникновение бледных оранжевых частей. Ундопед одиночные кристаллические вафли появляются ясный апельсин, но сильно данные допинг вафли появляются более темное должное к абсорбции свободно-несущей. Она непахуча и неразрешима в воде. Сера или теллурий использованы как допанц для произведения н типа полупроводников. Цинк использован как допант для п типа полупроводника. Фосфид галлия имеет применения в оптических системах. Свой Р.И. между 4,30 на 262 нм (УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЙ), 3,45 на 550 нм (зеленый цвет) и 3,19 на 840 нм (инфракрасн).

 

высококачественная вафля зазора одиночного кристалла (фосфид галлия) к электронной и электронно-оптической индустрии в диаметре до 2 дюйма. Кристалл фосфида галлия (зазора) оранжево-желтый полу-просвечивающий материал сформированный 2 элементами, вафля зазора важный материал полупроводника которые имеют уникальные электрические свойства по мере того как другие материалы смеси ИИИ-В и широко использованы как красное, желтое, и зеленое СИД (светоизлучающие диоды). Мы имеем вафлю зазора одиночного кристалла как-отрезка для вашего применения ЛПЭ, и также обеспечиваем вафлю зазора ранга епи готовую для вашего применения МОКВД & МБЭ эпитаксиального. Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации о продукте.

 

Электрический и дающ допинг спецификации

 

Название продукта: Субстрат фосфида галлия (зазора) кристаллический

Технические параметры:

 

 

 

 
Кристаллическая структура Кубический а = 5,4505 Å
Метод роста Метод Кзокральски
Плотность 4,13 г/см 3
Мп о 1480 к 1
Коэффициент теплового расширения 5,3 кс10 -6/о к
Допант С-данное допинг ундопед
Направление <111> или <100> <100> или <111>
Тип Н Н
Термальная проводимость 2 | 8 кс10 17/см 3 4 | 6 кс10 16/см 3
Резистивность В.км 0,03 до 0,3
ЭПД (см -2) <3x10>5 <3x10>5
 
Спецификации:

 

Кристаллографические направления: <111>, <100> ± 0,5 о

Стандартный отполированный размер: Ø2 «* 0.35мм; Ø2» * 0.43мм. Ø3 " кс0.3мм

Примечание: согласно требованиям клиента с особенными размерами и субстратами ориентации
 
СтандардПакинг чистая сумка 1000 чистая комната, 100 или одиночная упаковка коробки

 

Допант доступный S / Зн/Кр/Ундопед
Тип проводимости N / П, Полу-проводить/Полу-изолируя
Концентрация 1E17 - 2Э18 км-3
Подвижность > 100 км2/в.с.
 

Техническая характеристика изделия

Рост ЛЭК
Диаметр Ø 2"
Толщина  300ум
Ориентация <100> / <111> / <110> или другие
С ориентации С 2° к 10°
Поверхность Одна отполированная сторона или 2 сложенной стороны отполированной или
Плоские варианты ЭДЖ или СЭМИ. СТД.
ТТВ <>
ЭПД <>
Ранг Эпи отполировало ранг/механическую ранг
Пакет Одиночный контейнер вафли
 

 

Изображения образца

2 толщина вафли 0,3 зазора субстрата фосфида галлия дюйма кристаллических сложила поверхность

 

НАШИ РОДСТВЕННЫЕ продукты

 

          Вафли ЗнО вафли ИнП

2 толщина вафли 0,3 зазора субстрата фосфида галлия дюйма кристаллических сложила поверхность2 толщина вафли 0,3 зазора субстрата фосфида галлия дюйма кристаллических сложила поверхность

2 толщина вафли 0,3 зазора субстрата фосфида галлия дюйма кристаллических сложила поверхность2 толщина вафли 0,3 зазора субстрата фосфида галлия дюйма кристаллических сложила поверхность

           вафли сапфира вафель кустомзид/сик стандартные 

 

вопросы и ответы:

К: Что срок поставки?

А: (1) для стандартных продуктов

Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.

Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 недели после того как вы делаете заказ заказ.

(2) для в форме особенн продуктов, доставка 4 рабочей недели после того как вы делаете заказ заказ.

 

К: Что ваше МОК?

А: (1) для инвентаря, МОК 3пкс.

(2) для подгонянных продуктов, МОК 10-20пкс вверх.

 

Запрос Корзина 0