SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
КО. ТОРГОВЛЕЙ ШАНХАЯ ИЗВЕСТНОЕ, ЛТД
Add to Cart
4H-N Степень испытания 6 дюймов диаметром 150 мм карбида кремния однокристаллические субстраты (sic) пластинки, sic кристаллические слиткисик полупроводниковые субстраты,Кристаллические пластины из карбида кремния
Карбид кремния (SiC), также известный как карборунд, является полупроводником, содержащим кремний и углерод с химической формулой SiC.SiC используется в полупроводниковых электронных устройствах, которые работают при высоких температурах или высоких напряженияхSiC также является одним из важных компонентов светодиодов, он является популярным субстратом для выращивания GaN устройств, а также служит распределителем тепла в высокопроизводительных светодиодах
4 дюйма диаметра Кремниевый карбид (SiC) Спецификация подложки
|
Уровень |
Нолевой уровень производства MPD (Степень Z) |
Уровень производства (P класс) |
Уровень пробки (уровень D) |
|
|
Диаметр |
990,5-100 мм |
|||
|
Толщина |
4H-N |
350 мкм±25 мкм |
||
|
4H-SI |
500 мкм±25 мкм |
|||
|
Ориентация пластинки |
Сверху от оси: 4,0° вперед 1120 > ± 0,5° для 4H-N На оси: <0001>± 0,5° для 4H-SI |
|||
|
Плотность микротруб |
4H-N |
≤0.5 см-2 |
≤2 см-2 |
≤15 см-2 |
|
4H-SI |
≤1 см-2 |
≤5 см-2 |
≤15 см-2 |
|
|
Сопротивляемость |
4H-N |
00,015-0,025 Ω·cm |
00,015-0,028 Ω·cm |
|
|
4H-SI |
≥1E7 Ω·см |
≥1E5 Ω·см |
||
|
Первичная квартира |
{10-10} ± 5,0° |
|||
|
Первичная плоская длина |
320,5 мм±2,0 мм |
|||
|
Вторичная плоская длина |
180,0 мм±2,0 мм |
|||
|
Вторичная плоская ориентация |
Кремний сверху: 90° CW. от Prime flat ±5.0° |
|||
|
Исключение краев |
2 мм |
|||
|
LTV/TTV/Bow/Warp |
≤4 мкм/≤10 мкм /≤25 мкм /≤35 мкм |
≤10 мкм/≤15 мкм /≤25 мкм /≤40 мкм |
||
|
Грубость |
Польская Ра≤1 нм |
|||
|
CMP Ra≤0.5 нм |
||||
|
Трещины от высокоинтенсивного света |
Никаких |
Кумулятивная длина≤10 мм, одна длина ≤2 мм |
||
|
Шестерковые пластинки с высокой интенсивностью света |
Совокупная площадь≤00,05% |
Совокупная площадь≤00,1% |
||
|
Политипные зоны по интенсивности света |
Никаких |
Совокупная площадь≤3% |
||
|
Визуальные углеродные включения |
Совокупная площадь≤00,05% |
Совокупная площадь≤3% |
||
|
Подразнения от высокоинтенсивного света |
Никаких |
Кумулятивная длина≤1×диаметр пластины |
||
|
Крайний чип |
Никаких |
5 разрешено,≤1 мм каждый |
||
|
Загрязнение высокоинтенсивным светом |
Никаких |
|||
|
Опаковка |
Кассета с несколькими пластинами или контейнер с одной пластинкой |
|||
Примечания:
* Ограничения дефектов применяются ко всей поверхности пластины, за исключением области исключения краев.
|
Тип 4H-N / высокочистые пластинки SiC/линготы
2 дюйма 4H N-type SiC вафли/линготы
3 дюйма 4H N-type SiC вафли 4 дюйма 4H N-type SiC-волатки/линготы 6 дюймовые 4H N-type SiC вафли/линготы |
4H полуизоляция / высокая чистотаВафли с Си-Си 2 дюйма 4H полуизоляционный пластинка SiC
3 дюйма 4H полуизоляционный SiC-вафли 4 дюйма 4H полуизоляционная пластина SiC 6 дюймовые полуизоляционные пластины SiC 4H |
|
6H SiC-вофли типа N
2 дюйма 6H N-type SiC вафли/лингт |
Размер на заказ для 2-6 дюймов
|
Отдел закупок материалов отвечает за сбор всех сырья, необходимого для производства вашего продукта.включая химический и физический анализ всегда доступны.
Во время и после изготовления или обработки ваших продуктов, отдел контроля качества участвует в том, чтобы убедиться, что все материалы и допуски соответствуют или превышают ваши спецификации.
Служба
Мы гордимся тем, что у нас есть специалисты по продажам с более чем 5-летним опытом работы в полупроводниковой промышленности.Они обучены отвечать на технические вопросы, а также предоставлять своевременные предложения для ваших потребностей.
Мы всегда рядом, когда у вас возникают проблемы, и решаем их за 10 часов.
Ключевые слова: Сициллин карбид, Сициллин карбид, первоклассный фиктивный