LINK-PP INT'L TECHNOLOGY CO., LIMITED

ОГРАНИЧИВАЕМОЕ КО. ТЕХНОЛОГИИ ЛИНК-ПП МЕЖДУНАРОДНОЕ,

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
13 лет
Главная / продукты / Discrete Magnetic Transformers /

HX1188NL Lan Трансформаторная поверхность, установленная на базе 10/100 - T Ethernet 16 штифтов

контакт
LINK-PP INT'L TECHNOLOGY CO., LIMITED
Посетите вебсайт
Город:huizhou
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:LINK-PP Global
контакт

HX1188NL Lan Трансформаторная поверхность, установленная на базе 10/100 - T Ethernet 16 штифтов

Спросите последнюю цену
Видеоканал
Место происхождения :Гуандун, Китай
Номер модели :HX1188NL/HX1188
Количество минимального заказа :400/2000/10K/25K
Упаковывая детали :T&R
срок поставки :Запас
Условия оплаты :TT, дни NET30/60/90
Способность к поставкам :5кк/месяц
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

HX1188NL 100Base-TX Трансформаторы Особенности:

  1. Полностью соответствует стандартам RoHS-6.
  2. Разработан с открытой рамкой, улучшающей терморегулирование.
  3. Технология поверхностного монтажа обеспечивает простоту интеграции.
  4. Высокое напряжение изоляции 1,5 кВ обеспечивает безопасность и надежность при передаче данных.
  5. Широкий диапазон рабочих температур от -40°C до +85°C.
  6. Оснащен высокой индуктивностью 350 мкГн для стабильной передачи данных.
  7. Компактные размеры 12,7x9,53x5,97 мм.
  8. Может храниться при температурах от -50°C до +125°C.

Применение LAN трансформатора HX1188NL:

  • LAN Ethernet трансформатор/дроссель
  • Сети 100 Base-TX
  • Интерфейс данных и изоляция
  • Промышленная и коммерческая среда
  • Сетевое оборудование
  • Телекоммуникации
  • Встраиваемые системы
  • Системы автоматизации
  • Системы безопасности

Спецификация HX1188NL:

HX1188NL Lan Трансформаторная поверхность, установленная на базе 10/100 - T Ethernet 16 штифтов

HX1188NL Lan Трансформаторная поверхность, установленная на базе 10/100 - T Ethernet 16 штифтов

Pulse HX1188NL Электрические характеристики (@25℃):

1. Коэффициент трансформации 50 кГц, 0,5 В Сторона чипа: Сторона линии = 1CT: 1CT±2%

2. Индуктивность (Ls) 100 кГц, 0,1 В, смещение по постоянному току 12 мА: Сторона чипа: 350 мкГн мин.

3. Вносимые потери 1-100 МГц: -1,4 дБ макс.

4. Обратные потери 1-30 МГц: -16 дБ мин.

40 МГц: -14,4 дБ мин.

50 МГц: -13,1 дБ мин.

60-80 МГц: -12 дБ мин.

100 МГц: -10 дБ мин.

5. Подавление синфазных помех:

30 МГц: -45 дБ мин.

60 МГц: -40 дБ мин.

100 МГц: -35 дБ мин.

6. Перекрестные помехи 30 МГц: -40 дБ мин.

60 МГц: -35 дБ мин.

100 МГц: -30 дБ мин.

7. Испытание высоким напряжением: 1500 В среднеквадратичного значения мин.

Запрос Корзина 0