
Add to Cart
● Соответствует стандарту IEEE 802.3 для 1000Base-T.
● Первичная индуктивность (Lp) 350 мкГн мин. при 100 кГц, 0,1 В эфф., 8 мА.
● LL: 0,35 мкГн макс. при 100 кГц, 0,1 В
● Cww: 35 пФ макс. при 100 кГц, 0,1 В
● Первичное сопротивление постоянному току: 0,9 Ом макс.; вторичное сопротивление постоянному току: 1,2 Ом макс.
● Предназначено для пайки оплавлением при температурах до 260℃.
● Температура хранения от -25℃ до +125℃.
● Соответствие RoHS.
● Разработано для дальних гигабитных Ethernet-приложений 100/1000Base-T с дуплексной связью.
● Поддерживает 4 пары кабеля категории 5 UTP.
● Кабельный интерфейс для изоляции и низких синфазных помех.
Параметр | Спецификация |
---|---|
Коэффициент трансформации (±2%) | 1CT : 1CT |
Вносимые потери | 1–100 МГц: 1,0 дБ макс. |
Обратные потери |
1–30 МГц: -18 дБ мин. 40 МГц: -14,4 дБ мин. 50 МГц: -13,1 дБ мин. 60–80 МГц: -12 дБ мин. 100 МГц: -10 дБ мин. |
Перекрестные помехи (NEXT) |
30 МГц: -45 дБ мин. 60 МГц: -35 дБ мин. 100 МГц: -30 дБ мин. |
DCMR |
30 МГц: -43 дБ мин. 60 МГц: -37 дБ мин. 100 МГц: -33 дБ мин. |
Hi-Pot (Напряжение изоляции) | 1500 В эфф. мин. |