LINK-PP INT'L TECHNOLOGY CO., LIMITED

ОГРАНИЧИВАЕМОЕ КО. ТЕХНОЛОГИИ ЛИНК-ПП МЕЖДУНАРОДНОЕ,

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
13 лет
Главная / продукты / Magnetic RJ45 Jack /

Сила соединителя СРДЖХ-01Р-1-ХЛ1-170 магнитная РДЖ45 над локальными сетями ЛПДЖК0077АГНЛ

контакт
LINK-PP INT'L TECHNOLOGY CO., LIMITED
Посетите вебсайт
Город:huizhou
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:LINK-PP Global
контакт

Сила соединителя СРДЖХ-01Р-1-ХЛ1-170 магнитная РДЖ45 над локальными сетями ЛПДЖК0077АГНЛ

Спросите последнюю цену
Видеоканал
Номер модели :СРДЖХ-01Р-1-ХЛ1-170
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :50/500/1000
Условия оплаты :TT, дни NET30/60/90
Способность поставкы :3000K/month
срок поставки :Запас
Упаковывая детали :Поднос, лента & вьюрок
Название продукта :СРДЖХ-01Р-1-ХЛ1-170
Стандарты силы :IEEE 802.3af/at
Ethernet :1000БТ или гигабит
штырь, котор нужно приколоть :ЛПДЖК0077АГНЛ
Ориентация :Прямоугольный
Светодиоды :Елло/зеленый цвет
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта
Сила соединителя СРДЖХ-01Р-1-ХЛ1-170 магнитная РДЖ45 над локальными сетями ЛПДЖК0077АГНЛ
  • 1000 БАСЭ-Т магнитное РДЖ45
  • Крест СРДЖХ-01Р-1-ХЛ1-170 ЛПДЖК0077АГНЛ
  • Размер: 33.20С16.60С13.50мм
  • Плата вверх по интегрированному маньетикс Рдж45

ПРИМЕЧАНИЯ:
1.Десиньед к вспомогательной программе, как СОХО (АДСЛ
модемы), ЛАН-на-материнская плата (ЛОМ), эпицентр деятельности и переключатели.
спецификация 2.Мец ИЭЭЭ 802,3
материалы 3.Коннектор:
Расквартировывать: Термопластиковое УЛ94В-0
Контакт/экран: Медный сплав
Плакировка экрана: Никель
Контактное покрытие: Золото 6 микродюймов минимальное. В контакте
зона.
температура подсказки припоя 4.Ваве: 265℃ Макс
Время температуры подсказки припоя волны: 5 Сек Макс

Сила соединителя СРДЖХ-01Р-1-ХЛ1-170 магнитная РДЖ45 над локальными сетями ЛПДЖК0077АГНЛ

 


СЕРИЯ ЛПДЖ/ЛПДЖК: 

Порт    Гибкий дизайн для модели одиночного соединителя ПОЭ РДЖ45 порта прямоугольной ПН

1кс1 

Порт

Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, защищаемый ПОЭ 350мА, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, ПОЭ+ 600мА - защищаемое 720мА, (ООН) Дознание здесь
10/100/1000Басе-Т Маньетикс, ПОЭ 350мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100/1000М, ПОЭ+ 600мА/720мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь

1кс2

Порт

Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, защищаемый ПОЭ 350мА, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, ПОЭ+ 600мА - защищаемое 720мА, (ООН) Дознание здесь
10/100/1000Басе-Т Маньетикс, ПОЭ 350мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100/1000М, ПОЭ+ 600мА/720мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь

1кс4

Порт

Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, защищаемый ПОЭ 350мА, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, ПОЭ+ 600мА - защищаемое 720мА, (ООН) Дознание здесь
10/100/1000Басе-Т Маньетикс, ПОЭ 350мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100/1000М, ПОЭ+ 600мА/720мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь

1кс6

Порт

Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, защищаемый ПОЭ 350мА, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, ПОЭ+ 600мА - защищаемое 720мА, (ООН) Дознание здесь
10/100/1000Басе-Т Маньетикс, ПОЭ 350мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100/1000М, ПОЭ+ 600мА/720мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь

1кс8

Порт

Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, защищаемый ПОЭ 350мА, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, ПОЭ+ 600мА - защищаемое 720мА, (ООН) Дознание здесь
10/100/1000Басе-Т Маньетикс, ПОЭ 350мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100/1000М, ПОЭ+ 600мА/720мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь

2кс1

Порт

Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, защищаемый ПОЭ 350мА, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, ПОЭ+ 600мА - защищаемое 720мА, (ООН) Дознание здесь
10/100/1000Басе-Т Маньетикс, ПОЭ 350мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100/1000М, ПОЭ+ 600мА/720мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь

2кс2

Порт

Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, защищаемый ПОЭ 350мА, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, ПОЭ+ 600мА - защищаемое 720мА, (ООН) Дознание здесь
10/100/1000Басе-Т Маньетикс, ПОЭ 350мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100/1000М, ПОЭ+ 600мА/720мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь

2кс4

Порт

Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, защищаемый ПОЭ 350мА, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, ПОЭ+ 600мА - защищаемое 720мА, (ООН) Дознание здесь
10/100/1000Басе-Т Маньетикс, ПОЭ 350мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100/1000М, ПОЭ+ 600мА/720мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь

2кс6

Порт

Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, защищаемый ПОЭ 350мА, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, ПОЭ+ 600мА - защищаемое 720мА, (ООН) Дознание здесь
10/100/1000Басе-Т Маньетикс, ПОЭ 350мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100/1000М, ПОЭ+ 600мА/720мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь

2кс8

Порт

Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, защищаемый ПОЭ 350мА, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100Басе-Т, с (вне) СИД, ПОЭ+ 600мА - защищаемое 720мА, (ООН) Дознание здесь
10/100/1000Басе-Т Маньетикс, ПОЭ 350мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь
Маньетикс 10/100/1000М, ПОЭ+ 600мА/720мА, с (вне) защищаемым СИД, (ООН) Дознание здесь

 

Запрос Корзина 0