ARJC02-111009D, магнитное RJ45 Jack 10/100 кранов вниз RJ45 W/LED Основания-Tx

• Уступчивый с стандартом ИЭЭЭ802.3
• 350уХ минимум ОКЛ с током смещения 8мА
• Высокая эффективность для максимального подавления ЭМИ
• Высокая надежность – 750 сопрягая/унматинг цикл

• Конструированный для большинств ведущих изготовителей ПХИ ИК как Броадком,
Марвелл, Микросеми.
• Поддержки 10/100 оснований-Таппликатионс
• Предусматривает формирование сигнала, подавление ЭМИ и изоляцию сигнала.

• Температурная амплитуда рабочей температуры: 0ºК к +70ºК

• Диапазон температур хранения: -25ºК то+85ºК

• Покупка запаса доступная самая дешевая

ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ СПЭКФИКАТИОНС: @25℃

коэффициент 1.Турн (%%П2%):
  ТС=1КТ∶1КТ РС=1КТ∶1КТ
2.Индуктансе ОКЛ: МИНУТА 350уХ 
  смещение ДК @100КХз 0.1В 8мА
потеря 3.Инсертион:
  -1.0дБ МАКС @ 1.0-100МХз
потеря 4.Ретурн:
  МИНУТА @ 1-30МХз -18дБ 
  МИНУТА @ 30-60МХз -15дБ
  МИНУТА @ 60-80МХз -12дБ 
  МИНУТА @ 80-100МХз -10дБ
беседа 5.Кросс:
  МИНУТА @ 30МХз -40дБ  
  МИНУТА @ 60МХз -35дБ
  МИНУТА @ 100МХз -30дБ
сброс режима 6.Коммон:
  МИНУТА @ 30МХз -40дБ
  МИНУТА @ 60МХз -35дБ
  МИНУТА @ 100МХз -30дБ
7.Хипот: 1500Врмс
диапазон температур 8.Оператинг: - 40℃ К +85℃

ПРИМЕЧАНИЯ:

1.Десиньед к вспомогательной программе, как СОХО (АДСЛ 
  модемы), ЛАН-на-материнская плата (ЛОМ), эпицентр деятельности и переключатели.
спецификация 2.Мец ИЭЭЭ 802,3
материалы 3.Коннектор:
  Расквартировывать: Термопластиковое ПБТ+30%Г.Ф УЛ94В-0
  Контакт: Бонце К5210Р-ЭХ Тхикнесс=0.35мм светомассы
  Штыри: Латунь К2680Р-Х Тхикнесс=0.35мм 
  Экран: СУС 201-1/2Х Тхикнесс=0.2мм 
  Контактное покрытие: Золото 6 микродюймов минимальное. В площади контакта.
температура подсказки припоя 4.Ваве: 265℃ Макс, 5 Сек Макс