Witgain Technology Ltd
Witgain Technology Ltd Professional PCB Manufacturer
Add to Cart
Плата с печатным монтажом отверстия 4 слоев половинная, законченная толщина 0.8ММ, отверстия ХДИ, слепых и похороненного
Плата с печатным монтажом отверстия 4 слоев половинная с слепыми и похороненными отверстиями
Спецификации ПКБ:
Отсчет слоя: покрытый половиной ПКБ отверстия 4Лаер
Толщина доски: 0.8ММ
Медная толщина: 1/Х/Х/1ОЗ
Размер БГА: 10 Мил, через в пусковую площадку
Минимальное отверстие: 0.1ММ
Минимальная линия: 3/3 Мил
Отверстие: Л1-Л4
Глухое отверстие: Л1-Л2 0.1ММ, Л3-Л4 0.1ММ
Похороненное отверстие: Л3-Л4 0.2ММ
Маска припоя: Зеленый цвет
Поверхностное покрытие: ЭНИГ
Материал: ФР4
Размер блока: 84*92ММ/4*4уп
Специальное обращение: 4 бортовых отверстия покрытых половиной
Применение: Модуль ВИФИ
Возможности:
| Деталь | Возможность |
| Отсчет слоя | 1-24 слои |
| Толщина доски | 0.1мм-6.0мм |
| Законченный размер Макса доски | 700мм* 800мм |
| Законченный допуск толщины доски | +/--10% +/--0,1 (<1.0мм) |
| Искривление | <0.7% |
| Главный бренд ККЛ | КБ/НанЯ/ЛТЭК/ШенгИ/Рогерс Этк |
| Материальный тип | ФР4, КЭМ-1, КЭМ-3, алюминий, медь, керамическая, ПИ, ЛЮБИМЕЦ |
| Диаметр буровой скважины | 0.1мм-6.5мм |
| Вне толщина слоя медная | 1/20З-8ОЗ; |
| Внутренняя толщина меди слоя | 1/3ОЗ-6ОЗ |
| Коэффициент сжатия | 10:1 |
| Допуск на диаметр отверстия ПТХ | +/-3мил |
| Допуск на диаметр отверстия НПТХ | +/-1мил |
| Медная толщина стены ПТХ | >10мил (25ум) |
| Линия ширина и космос | 2/2мил |
| Минимальный мост маски припоя | 2.5мил |
| Допуск выравнивания маски припоя | +/-2мил |
| Допуск размера | +/-4мил |
| Максимальная толщина золота | 200у' (0.2мил) |
| Термальный удар | 288К, 10с, 3 раза |
| Импеданс Контро | +/--10% |
| Возможность ЛТест | Минута 0.1мм размера ПУСКОВОЙ ПЛОЩАДКИ |
| Минута БГА | 7мил |
| Поверхностное покрытие | ОСП, ЭНИГ, ХАСЛ, покрывая золото, масло углерода, Пелабле |
вопросы и ответы:
Вопрос: Что самый общий качественный вопрос для этого кинф пкб?
Ответ: 1) медный заусенец в половинных отверстиях
2) оксидация в половинных отверстиях