LU'S TECHNOLOGY CO., Ltd.
One-stop sevice to make development easier.
Add to Cart
2N5551 / Кремний транзистора NPN усилителя MMBT5550LT1 MMBT5551 NPN общецелевой высоковольтный
SOT-23 - Транзистор силы и Darlingtons
Номер детали
BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56 CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551
Электрические характеристики
|
Mfr. # |
MMBT5551 |
| Устанавливать стиль | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Конфигурация | Одиночный |
| Напряжение тока коллектор- эмиттера VCEO Макс | 160 v |
| Напряжение тока коллектора- база VCBO | 180 v |
| Напряжение тока VEBO излучателя низкопробное | 6 v |
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | 0,2 v |
| Максимальное течение сборника DC | 0,6 a |
| Pd - диссипация силы | 325 mW |
| Продукт fT ширины полосы частот увеличения | 300 MHz |
| Минимальная рабочая температура | - 55 c |
| Максимальная рабочая температура | + 150 c |
| Сборник DC/низкопробная минута hfe увеличения | 80 на 10 мамах, 5 v |
| HFE Макс настоящего увеличения DC | 250 на 10 мамах, 5 v |
| Тип продукта | BJTs - двухполярные транзисторы |
Электрические характеристики (на животиках =°C 25 если не указано иное)
