CO. технологии Jinan Crystrong светоэлектрическое, Ltd

UNITY DILIGENCE REFINEMENT INNOVATION

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / ND YVO4 /

Низкий лазер микросхемы порога Lasing для лазера диода - нагнетенных твердотельных лазеров

контакт
CO. технологии Jinan Crystrong светоэлектрическое, Ltd
Город:jinan
Область/Штат:shandong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MsJennifer
контакт

Низкий лазер микросхемы порога Lasing для лазера диода - нагнетенных твердотельных лазеров

Спросите последнюю цену
Brand Name :CRYSTRONG
Place of Origin :Jinan,China
MOQ :1-5
Price :Negotiation
Payment Terms :Net 30 days
Supply Ability :Stock
Delivery Time :5-30 days upon order quantity
Packaging Details :vacuum packaging,plastic box,carton
Clear aperture :90% of full aperture
Aperture tolerance :±0.1mm
Angle tolerance :≤± 0.25°
Length :0.5-30mm
Orientation :A-cut, C-cut
Packaging :Carton Packing
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Низкий Нд ИВО4 порога Ласинг для диода Лазер-нагнетал твердотельные лазеры

 

Описание продуктов:

 

Сравненный Нд: Кристалл лазера ИАГ, 5 раз более большой показатель поглощения в более широком диапазоне центризованном на 807нм и благоприятные механические свойства делает Нд: Хорошо ИВО4 одетое для компактного, эффективный, наивысшая мощность диод-нагнетало лазеры.

 

Естественное двойное лучепреломление Нд: Кристаллы ИВО4 дают подъем сильно поляризовыванному выходу на 1064нм, 1342нм и 914нм. Нд: ИВО4 лазер Кристл имеет широко распространенные применения систем лазера, включая подвергать механической обработке, материальная обработку, спектроскопию, осмотр вафли, дисплеи света, медицинские диагностики, печатание лазера, етк.

 

Нд: ИВО4 соответствующее для лазерного диода нагнетая среди настоящих кристаллов лазера рекламы, особенно для низкого уровня к средней плотности мощности лазера. Нагнетенный лазерными диодами

 

 

ОСОБЕННОСТИ:

 

  • Нагнетите ширину полосы частот вокруг 808нм, о 5 раз этом из Нд: ИАГ
  • Поперечное сечение вынужденного излучения на 1064 нм 3 раза это из Нд: ИАГ
  • Низкий порог легкого ущерба, высокая эффективность наклона
  • Одиночный кристалл оси, выход линейно поляризовыван

 

  

 

СПЕЦИФИКАЦИИ:

 

Плоскостность λ/8 на 633нм
Параллелизм арксек ≤20
Качество поверхности 20-10 царапина & раскопки (МИЛ-ПРФ-13830Б)
Перпендикулариты аркмин ≤5
Допуск размера ±0.1мм
Допуск апертуры ±0.1мм
Ясная апертура 90% из полной апертуры
Чамфер ≤0.2 ммкс45°
Обломок ≤0.1мм

 

 

Запрос Корзина 0