Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd. Мы выращиваем кристаллы, изготавливаем пластины, специализируемся на пиезоэлектрике.

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
4 лет
Главная / продукты / Piezoelectric Wafer /

4 вафля дюйма LNOI достигая компактной фотонной интеграции

контакт
Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.
Посетите вебсайт
Город:hangzhou
Область/Штат:shanghai
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrXu
контакт

4 вафля дюйма LNOI достигая компактной фотонной интеграции

Спросите последнюю цену
Видеоканал
Номер модели :Вафля LNOI
Место происхождения :КИТАЙ
Количество минимального заказа :25 шт.
Условия оплаты :T/T
Способность поставки :50000 PCS/Month
Срок поставки :1-4 недель
Упаковывая детали :Пакет опарника кассеты, вакуум загерметизировал
Продукт :LiNbO3 на изоляторе
Диаметр :4 дюйма, Φ100mm
Верхний слой :ниобат лития
Верхняя толщина :300~600nm
Облучение солнцем :Термальная окись SiO2
Толщина облучения солнцем :2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm
Субстрат :кремний
Применение :Оптически волноводы и Microwaveguides
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Достигать компактной фотонной интеграции с вафлями 4-Inch LNOI

 

LNOI стоит для ниобата лития на изоляторе, который специализированная технология субстрата используемая в поле интегрированного photonics. Субстраты LNOI изготовлены путем переносить тонкий слой кристалла на изолируя субстрат, типично двуокиси кремния (SiO2) или нитрида ниобата лития (LiNbO3) кремния (Si3N4). Эта технология предлагает уникальные преимущества для развития компактных и высокопроизводительных фотонных приборов.

 

Изготовление субстратов LNOI включает скрепить тонкий слой LiNbO3 на изолирующий слой используя методы как выпуск облигаций или ион-вырезывание вафли. Это приводит в структуре где LiNbO3 приостанавливано на непроводящем субстрате, предусматривая электрическую изоляцию и уменьшая оптически потери волновода.

 

Применения LNOI:

  • Интегрированное Photonics
  • Оптическая связь
  • Воспринимать и метрология
  • Оптика Кванта

 

Вафля LNOI
Структура LN/SiO2/Si LTV/PLTV < 1="">) mm2 5/95%
Диаметр ± Φ100 0,2 mm Край Exclution 5 mm
Толщина 500 μm ± 20 Смычок Внутри μm 50
Основная плоская длина ± 47,5 2 mm
± 57,5 2 mm
Утеска края ± 2 0,5 mm
Скашивать вафли R типа Экологический Rohs 2,0
Верхний слой LN
Средняя толщина 400/600±10 nm Единообразие < 40nm="">
Индекс рефракции отсутствие > 2,2800, ne < 2=""> Ориентация ± 0.3° оси x
Ранг Оптически Поверхностный Ра < 0="">
Дефекты >1mm никакие;
1mmне позднее300итогов
Деламинация Никакие
Царапина >1cm никакие;
1cmне позднее3
Основная квартира Перпендикуляр к + ± 1° Y-osи
Изоляция SiO2 слоя
Средняя толщина 2000nm ± 100nm ± 50nm 4700nm ± 15nm 3000nm Единообразие <>
Сказочный. Метод Термальная окись Индекс рефракции 1.45-1.47 @ 633 nm
Субстрат
Материал Si Ориентация <100> ± 1°
Основная плоская ориентация <110> ± 1° Резистивность > kΩ 10·см
Загрязнение задней стороны Отсутствие видимого пятна Задняя сторона Вытравите

 

 

4 вафля дюйма LNOI достигая компактной фотонной интеграции4 вафля дюйма LNOI достигая компактной фотонной интеграции

 


 

4 вафля дюйма LNOI достигая компактной фотонной интеграции

 

4 вафля дюйма LNOI достигая компактной фотонной интеграции

 

Запрос Корзина 0