Nanjing Crylink Photonics Co.,Ltd

Растущий кристалл, значение Линлинг.

Manufacturer from China
Активный участник
6 лет
Главная / продукты / Кристаллы лазера /

Показатель поглощения кристаллов лазера Нд ИВО4 высокий большое поперечное сечение вынужденного излучения

контакт
Nanjing Crylink Photonics Co.,Ltd
Город:shanghai
Область/Штат:shanghai
Страна/регион:china
Контактное лицо:Mrsales
контакт

Показатель поглощения кристаллов лазера Нд ИВО4 высокий большое поперечное сечение вынужденного излучения

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :1 шт
Упаковывая детали :коробка
Срок поставки :3-4 недели
Термины компенсации :TT
Способность поставкы :100 частей /month
Номер модели :КРИЛИНК-Нд ИВО4 лазер Кристл
Материалы :Nd: YVO4
Допуск концентрации (atm%) :0,5%, 1,1%, 2,0%, 3,0%
Ориентация :-отрезок или К-отрезок
Параллелизм :20
Перпендикулариты :10/5 царапина/раскопок согласно с MIL-O-13830 b
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта
Nd-данный допинг кристалл YVO4 превосходный кристалл лазера для делать диод-нагнетенные твердые лазеры. Главные и большие преимущества Nd: YVO4 высокий показатель поглощения, большое поперечное сечение вынужденного излучения и широкая полоса поглощения, пик абсорбции около 808 nm. Из-за этих преимуществ, небольшой кристалл можно использовать для того чтобы сделать более небольшой прибор лазера. Другая особенность Nd: YVO4crystal эти одноосные, которые делают его испустить линейно поляризовыванные света. Совмещающ с частот-удвоенным кристаллом, лазеры все-тверд-государства с зеленой, голубой и красной длиной волны можно осуществить.

Параметр

Материал и спецификации
Материалы Nd: YVO4
Допуск концентрации (atm%) 0,5%, 1,1%, 2,0%, 3,0%
Ориентация -отрезок или C-отрезок
Параллелизм 20
Perpendicularity 5
Качество поверхности 10/5 царапина/раскопок согласно с MIL-O-13830 b
Искажение Wavefront
Поверхностная плоскостность /10 @ 633 nm
Ясная апертура >90%
Скосите ≤ 0.2mm@450
Допуск размера (W±0.1mm) x (H±0.1mm) x (L+0.2/-0.1mm) (l<2>
(W±0.1mm) x (H±0.1mm) x (L+0.5/-0.1mm) (L≥2.5mm)
Допуск по углу ≤0.5°
Порог повреждения [GW/cm2] >1 для 1064nm, TEM00, 10ns, (AR-покрытые) 10Hz
Покрытия HR@1064nm+532nm+HT @808nm/AR@1064nm+532nm

 

Медицинский осмотр и химические свойства

Кристаллическая структура Циркон тетрагональный, группа космоса D4h-I4/amd
Константы решетки a=b=7.12, c=6.29
Плотность 4.22g/cm3
Точка плавления 1825
Термальная проводимость/(°C Wm-1K-1@25) 5,2
Термальный оптически коэффициент (dn/dT) dno/dT=8.5×10-6/K; dne/dT=2.9×10-6/K
Тепловое расширение/(°C 10-6K-1@25) = 4,43, c= 11,4
Твердость (Mohs) 4~5

 

Оптически и спектральные свойства

Длина волны лазера 1064nm, 1342nm
Поляризовыванное излучение лазера поляризация; параллель к оптической оси (c-ось)
Длина волны насоса 808nm
Внутреннеприсущая потеря 0.02cm-1 @1064nm
Диод нагнетал оптически к оптически эффективности >60%
Поперечное сечение излучения 25× 10-19cm2@1064nm
Продолжительность жизни флуоресцирования 90 s (около 50 s для данного допинг Nd 2 atm%) @ 808 nm
Ширина полосы частот увеличения 0.96nm @1064nm
R.I. 1,9573 (нет); 2,1652 (ne) @1064nm
1,9721 (нет); 2,1858 (ne) @808nm
Запрос Корзина 0