Транзистор наивысшей мощности PNP транзистора силы кремния SGS для электронных блоков
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:PCS 1000-2000
Упаковывая детали:Положенный в коробку
Срок поставки:1 - 2 недели
Условия оплаты:L/C T/T Западное соединение
Способность поставки:18,000,000PCS/в день
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen China
Адрес:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
последний раз поставщика входа:
в рамках 22 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
TO-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 2N5401 (PNP)
ОСОБЕННОСТЬ
Переключение и амплификация Ÿ в высоком напряжении
Применения Ÿ как телефонирование
Ÿ низкоточное
Высокое напряжение Ÿ
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ
| Номер детали | Пакет | Способ уплотнения прокладками | Количество пакета |
| 2N5401 | TO-92 | Большая часть | 1000pcs/Bag |
| 2N5401-TA | TO-92 | Лента | 2000pcs/Box |
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (животики =25 Š если не указано иное)
| Символ | Параметр | Значение | Блок |
| VCBO | Напряжение тока коллектора- база | -160 | V |
| VCEO | Напряжение тока коллектор- эмиттера | -150 | V |
| VEBO | Напряжение тока Излучател-основания | -5 | V |
| IC | Течение сборника | -0,6 | |
| ПК | Диссипация силы сборника | 625 | mW |
| R0 JA | Термальное сопротивление от соединения к окружающему | 200 | Š/W |
| Tj | Температура соединения | 150 | Š |
| Tstg | Температура хранения | -55~+150 | Š |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Животики =25 Š если не указано иное
| Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс | Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | V (BR) CBO | IC = -0.1MA, IE =0 | -160 | V | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР V (BR) | IC =-1MA, IB =0 | -150 | V | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | V (BR) EBO | IE =-0.01MA, IC =0 | -5 | V | ||
| Течение выключения сборника | ICBO | VCB =-120V, IE =0 | -50 | nA | ||
| Течение выключения излучателя | IEBO | VEB =-3V, IC =0 | -50 | nA | ||
Увеличение DC настоящее | hFE (1) | VCE =-5V, IC =-1MA | 80 | |||
| hFE (2) | VCE =-5V, IC =-10MA | 100 | 300 | |||
| hFE (3) | VCE =-5V, IC =-50MA | 50 | ||||
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | VCE (сидел) | IC =-50MA, IB =-5MA | -0,5 | V | ||
| напряжение тока сатурации Основани-излучателя | VBE (сидел) | IC =-50MA, IB =-5MA | -1 | V | ||
| Частота перехода | fT | VCE =-5V, IC =-10mA, f =30MHz | 100 | 300 | MHz |
КЛАССИФИКАЦИЯ hFE (2)
| РЯД | B | C | |
| РЯД | 100-150 | 150-200 | 200-300 |
Типичные характеристики
Размеры плана пакета
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минута | Макс | Минута | Макс | |
| 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 | |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 ТИП | 0,050 ТИПА | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
TO-92 7DSH DQG 5HHO
Транзистор наивысшей мощности PNP транзистора силы кремния SGS для электронных блоков
Запрос Корзина
0