утечка сильнотокового транзистора транзистора силы кремния 200v низкая
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:PCS 1000-2000
Упаковывая детали:Положенный в коробку
Срок поставки:1 - 2 недели
Условия оплаты:L/C T/T Западное соединение
Способность поставки:18,000,000PCS/в день
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shenzhen China
Адрес:
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
последний раз поставщика входа:
в рамках 22 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
ДИОД SOT-23 УТЕЧКИ MMBD1501A НИЗКИЙ Пластмасс-помещает диоды
ОСОБЕННОСТЬ
утечка низкая
електропроводимостьь высокая
Маркировка: A11
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (Ta=25℃ если не указано иное)
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Ta=25℃ если не указано иное)
Типичное Characterisitics
Размеры плана пакета
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минута | Макс | Минута | Макс | |
| 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 | |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| e | 0,950 ТИПА | 0,037 ТИПА | ||
| e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| L | 0,550 REF | 0,022 REF | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
утечка сильнотокового транзистора транзистора силы кремния 200v низкая
Запрос Корзина
0