китай категории
Русский язык

Электронные блоки IC TSOP48 интегральных схема ВСПЫШКИ НИ памяти микрона M29DW323 M29DW323DT70N6

Номер модели:M29DW323DT70N6E M29DW323DT70N6F M29DW323DT70N6T
Место происхождения:Малайзия
Количество минимального заказа:1pieces
Условия оплаты:T/T, западное соединение
Способность поставки:50000PCS
Срок поставки:5 рабочих дней
контакт

Add to Cart

Проверенные Поставщика
Shenzhen Hongkong China
Адрес: Fl12, район Шэньчжэнь Китай 518000 LongHua мира башни e XingHe
последний раз поставщика входа: в рамках 28 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Электронные блоки IC TSOP48 интегральных схема ВСПЫШКИ НИ памяти микрона M29DW323 M29DW323DT70N6E

- Флэш-память поставки 3V M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 или 2Mb x16, двойного 8:24 банка, блока ботинка)


M29DW323D память 32 Mbit (4Mb x8 или 2Mb x16) слаболетучая которую можно прочитать, стереть и перепрограммировать. Эту деятельность можно выполнить используя одиночную поставку низшего напряжения (2,7 к 3.6V). На включении питания дефолты памяти к своему режиму считывания. Прибор отличает несимметричной архитектурой блока. M29DW323D имеет массив 8 63 основных блоков параметра и и разделено в 2 банка, a и b, предусматривая двойную деятельность банка. Пока программирующ или стирающ в банке a, прочитайте деятельность возможна в банке b и наоборот. Только один банк одновременно позволен находиться в программе или режиме стирания.

M29DW323D имеет дополнительные 32 KWord (режим x16) или блоку 64 кбайтов (режима x8), выдвинутому блоку, этому можно получать доступ к используя преданную команду. Выдвинутый блок можно защитить и поэтому полезен для хранить информация о безопасности.

Однако защиту необратима, раз защищала защиту нельзя расстегнуть

. Каждый блок можно стереть независимо поэтому возможно сохранить действительные данные пока старые данные стерты.

Блоки можно защитить для предотвращения случайных команд программы или стирания от дорабатывать память.

Команды программы и стирания написаны в интерфейс команды памяти.

Регулятор программы/стирания на-обломока упрощает процесс программирования или стирать памяти путем позаботиться обо все особые операции которые необходимо, что уточняют содержание памяти.

Конец деятельности программы или стирания можно обнаружить и все условия ошибки определили.

Набор команды необходим, что проконтролировал память последователен со стандартами JEDEC.

Обломок позволить, вывести наружу позволяет и пишет разрешающие сигналы контролировать деятельность автобуса памяти.

Они позволяют простому соединению с большинств микропроцессорами, часто без дополнительной логики.

Память предложена в (тангаж 6x8mm, 0.8mm) пакетах TSOP48 (12x20mm), и TFBGA48.


СВОДКА ОСОБЕННОСТЕЙ:

ПОДАЧА НАПРЯЖЕНИЯ
– VCC = 2.7V к 3.6V для программы, стирания и чтения
– VPP =12V для быстрой программы (опционной)


ВРЕМЯ ВЫБОРКИ „: 70ns


ВРЕМЯ „ ПРОГРАММИРУЯ
– 10µs в байт/слово типичные
– Программа байта двойного слова четырехшпиндельная


БЛОКИ ПАМЯТИ „
– Двойной массив группы блоков памяти: 8Mbit+24Mbit
– Параметр преграждает (верхнее или нижнее положение)


„ УДВАИВАЕТ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ
– Прочитайте в одном банке пока программа или стирание в другом


„ СТИРАЕТ для того чтобы ПРИОСТАНАВЛИВАТЬ и ВОЗОБНОВИТЬ РЕЖИМЫ
– Чтение и программа другой блок во время стирания приостанавливает


„ ОТКРЫВАЕТ КОМАНДУ ПРОГРАММЫ ОБХОДА
– Более быстрое программирование продукции/серии


PIN „ VPP/WP для БЫСТРОЙ ПРОГРАММЫ и ЗАЩИТИТЬ от записи


РЕЖИМ БЛОКА UNPROTECTION „ ВРЕМЕННЫЙ


Код защиты ИНТЕРФЕЙСА 64 „ ОБЩИЕ ВНЕЗАПНЫЕ сдержанный


БЛОК ВЫДВИНУТОЙ ПАМЯТИ „
– Дополнительный блок используемый как блок безопасностью или хранить дополнительная информация


Положение боевой готовности ПОТРЕБЛЕНИЯ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ „ и автоматическое положение боевой готовности


ЦИКЛЫ „ 100 000 PROGRAM/ERASE в БЛОК


ПОДПИСЬ „ ЭЛЕКТРОННАЯ
– Код изготовителя: 0020h
– Верхний код прибора M29DW323DT: 225Eh
– Нижний код прибора M29DW323DB: 225Fh


Спецификация ПАРАЛЛЕЛИ 48TSOP-M29DW323DT70N6E ВСПЫШКИ 32MBIT IC:

CatetoryЭлектронные блоки
SubCategory
Интегральные схемаы (ICs)
Серия
Память
Mfr
Микрон Технология Inc.
Пакет
Поднос
Состояние части
Устарелый
Тип памяти
Слаболетучий
Формат памяти
ВСПЫШКА
Технология
ВСПЫШКА - НИ
Размер запоминающего устройства
32Mb (4M x 8, 2M x 16)
Интерфейс памяти
Параллельный
Напишите время цикла - слово, страницу
70ns
Время выборки
70 ns
Напряжение тока - поставка
2.7V | 3.6V
Рабочая температура
-40°C | 85°C (ЖИВОТИКИ)
Устанавливать тип
Поверхностный держатель
Пакет/случай
48-TFSOP (0,724", ширина 18.40mm)
Пакет прибора поставщика
48-TSOP
Низкопробный номер продукта
M29DW323

Номера родственного продукта:

Часть Mfr #ТехнологияРазмер запоминающего устройстваПакет прибора
M29DW323DB70N6F TRВСПЫШКА - НИ32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TSOP
M29DW323DT70N6F TRВСПЫШКА - НИ32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TSOP
M29DW323DB5AN6F TRВСПЫШКА - НИ256Mb (16M x 16)48-TSOP
M29DW323DB70N3EВСПЫШКА - НИ32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TSOP
M29DW323DB70N6EВСПЫШКА - НИ32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TSOP
M29DW323DB70ZE6EВСПЫШКА - НИ32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TFBGA (6x8)
M29DW323DB70ZE6F TRВСПЫШКА - НИ32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TFBGA (6x8)
M29DW323DB7AN6F TRВСПЫШКА - НИ32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TSOP
M29DW323DT70ZE6F TRВСПЫШКА - НИ32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TFBGA (6x8)
M29DW323DT70ZE6EВСПЫШКА - НИ32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TFBGA (6x8)
M29DW323DT70N6EВСПЫШКА - НИ32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TSOP
M29DW323DB70N6EВСПЫШКА - НИ32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TSOP
M29DW323DB70N6ВСПЫШКА - НИ32Mb (4M x 8, 2M x 16)48-TSOP

Упорядочение информации:


О технологии микрона

Микрон делает новаторские решения памяти и хранения которые помогают управлять сегодняшний большинств значительными и разрушительными прорывами технологии, как искусственный интеллект, интернет вещей, само-управляя автомобилями, персонализированное медицин-ровное космическое исследование. Путем pioneering быстрый и больше эффективных способов собрать, сохранить и управить данные, они помогают революционизировать и улучшить путь мир связывает, учит и выдвигается.


Категории продукта технологии микрона:


Интегральные схемаы (ICs)

Карты памяти, модули

Оптическая электроника


Изображение для ссылки:



Классификации экологических & экспорта

АТРИБУТОПИСАНИЕ
Состояние RoHSROHS3 уступчивое
Уровень чувствительности влаги (MSL)3 (168 часов)
Состояние ДОСТИГАЕМОСТИДОСТИГНИТЕ без изменений
ECCN3A991B1A
HTSUS8542.32.0071


Номер детали IC интегральных схема замен:
S29JL032J70TFI010/S29JL032J70TFI310
Мы продаем портфолио индустрии самое широкое памяти и технологий памяти: ДРАХМА, NAND, и НИ память ic. С близкими партнерствами индустрии и экспертизой решений памяти, наша уникальная проницательность дает нам способность обратиться к вашим самым трудным потребностям.

Родственная параллель НИ внезапный каталог деталей интегральной схемаы:

MT28EW128ABA1HJS-0SIT
MT28EW128ABA1HPC-0SIT
MT28EW128ABA1HPN-0SIT
MT28EW128ABA1LJS-0SIT
MT28EW128ABA1LPC-0SIT
MT28EW128ABA1LPN-0SIT




China Электронные блоки IC TSOP48 интегральных схема ВСПЫШКИ НИ памяти микрона M29DW323 M29DW323DT70N6 supplier

Электронные блоки IC TSOP48 интегральных схема ВСПЫШКИ НИ памяти микрона M29DW323 M29DW323DT70N6

Запрос Корзина 0