китай категории
Русский язык

Вафля высокоскоростной модуляции и широкой ширины полосы частот пьезоэлектрическая с LNOI POI

Номер модели:Вафля LNOI
Место происхождения:КИТАЙ
Количество минимального заказа:25 шт.
Условия оплаты:T/T
Способность поставки:1000 ПК/месяц
Срок поставки:1-4 недель
контакт

Add to Cart

Проверенные Поставщика
Hangzhou Shanghai China
Адрес: Комната 1106, CIBC, No198 Wuxing Rd, Ханчжоу, Китайская Народная Республика
последний раз поставщика входа: в рамках 30 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Включать высокоскоростную модуляцию и широкую ширину полосы частот с LNOI POI

 

Piezo на изоляции (POI) ссылает на технологию где пьезоэлектрические материалы интегрированы на изолируя субстрат. Это учитывает использование пьезоэлектрического влияния пока предусматривающ электрическую изоляцию. Технология POI включают развитие различных приборов и системы которая обуздывают уникальные свойства пьезоэлектрических материалов для воспринимать, возбуждения, и энергии жать применения.

 

Технология POI (Piezo на изоляции) находит различные применения в различных полях должных к своей способности совместить преимущества пьезоэлектрических материалов с электрической изоляцией. Как датчики, Microelectromechanical системы и накопление энергии и поколение.

 

Многосторонность интегрировать пьезоэлектрические материалы на изолируя субстрат открытый вверх по возможностям для новаторских решений в разнообразных полях, включая электронику, энергия, здравоохранение, и больше.

 

 

Вафля LNOI
СтруктураLN/SiO2/SiLTV/PLTV< 1="">) mm2 5/95%
Диаметр± Φ100 0,2 mmКрай Exclution5 mm
Толщина500 μm ± 20СмычокВнутри μm 50
Основная плоская длина± 47,5 2 mm
± 57,5 2 mm
Утеска края± 2 0,5 mm
Скашивать вафлиR типаЭкологическийRohs 2,0
Верхний слой LN
Средняя толщина400/600±10 nmЕдинообразие< 40nm="">
Индекс рефракцииотсутствие > 2,2800, ne < 2="">Ориентация± 0.3° оси x
РангОптическиПоверхностный Ра< 0="">
Дефекты>1mm никакие;
1mmне позднее300итогов
ДеламинацияНикакие
Царапина>1cm никакие;
1cmне позднее3
Основная квартираПерпендикуляр к + ± 1° Y-osи
Изоляция SiO2 слоя
Средняя толщина2000nm ± 100nm ± 50nm 4700nm ± 15nm 3000nmЕдинообразие<>
Сказочный. МетодТермальная окисьИндекс рефракции1.45-1.47 @ 633 nm
Субстрат
МатериалSiОриентация<100> ± 1°
Основная плоская ориентация<110> ± 1°Резистивность> kΩ 10·см
Загрязнение задней стороныОтсутствие видимого пятнаЗадняя сторонаВытравите

 

 

 


 

 

 

China Вафля высокоскоростной модуляции и широкой ширины полосы частот пьезоэлектрическая с LNOI POI supplier

Вафля высокоскоростной модуляции и широкой ширины полосы частот пьезоэлектрическая с LNOI POI

Запрос Корзина 0