китай категории
Русский язык

4 вафля дюйма LNOI достигая компактной фотонной интеграции

Номер модели:Вафля LNOI
Место происхождения:КИТАЙ
Количество минимального заказа:25 шт.
Условия оплаты:T/T
Способность поставки:50000 PCS/Month
Срок поставки:1-4 недель
контакт

Add to Cart

Проверенные Поставщика
Hangzhou Shanghai China
Адрес: Комната 1106, CIBC, No198 Wuxing Rd, Ханчжоу, Китайская Народная Республика
последний раз поставщика входа: в рамках 30 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Достигать компактной фотонной интеграции с вафлями 4-Inch LNOI

 

LNOI стоит для ниобата лития на изоляторе, который специализированная технология субстрата используемая в поле интегрированного photonics. Субстраты LNOI изготовлены путем переносить тонкий слой кристалла на изолируя субстрат, типично двуокиси кремния (SiO2) или нитрида ниобата лития (LiNbO3) кремния (Si3N4). Эта технология предлагает уникальные преимущества для развития компактных и высокопроизводительных фотонных приборов.

 

Изготовление субстратов LNOI включает скрепить тонкий слой LiNbO3 на изолирующий слой используя методы как выпуск облигаций или ион-вырезывание вафли. Это приводит в структуре где LiNbO3 приостанавливано на непроводящем субстрате, предусматривая электрическую изоляцию и уменьшая оптически потери волновода.

 

Применения LNOI:

  • Интегрированное Photonics
  • Оптическая связь
  • Воспринимать и метрология
  • Оптика Кванта

 

Вафля LNOI
СтруктураLN/SiO2/SiLTV/PLTV< 1="">) mm2 5/95%
Диаметр± Φ100 0,2 mmКрай Exclution5 mm
Толщина500 μm ± 20СмычокВнутри μm 50
Основная плоская длина± 47,5 2 mm
± 57,5 2 mm
Утеска края± 2 0,5 mm
Скашивать вафлиR типаЭкологическийRohs 2,0
Верхний слой LN
Средняя толщина400/600±10 nmЕдинообразие< 40nm="">
Индекс рефракцииотсутствие > 2,2800, ne < 2="">Ориентация± 0.3° оси x
РангОптическиПоверхностный Ра< 0="">
Дефекты>1mm никакие;
1mmне позднее300итогов
ДеламинацияНикакие
Царапина>1cm никакие;
1cmне позднее3
Основная квартираПерпендикуляр к + ± 1° Y-osи
Изоляция SiO2 слоя
Средняя толщина2000nm ± 100nm ± 50nm 4700nm ± 15nm 3000nmЕдинообразие<>
Сказочный. МетодТермальная окисьИндекс рефракции1.45-1.47 @ 633 nm
Субстрат
МатериалSiОриентация<100> ± 1°
Основная плоская ориентация<110> ± 1°Резистивность> kΩ 10·см
Загрязнение задней стороныОтсутствие видимого пятнаЗадняя сторонаВытравите

 

 

 


 

 

 

China 4 вафля дюйма LNOI достигая компактной фотонной интеграции supplier

4 вафля дюйма LNOI достигая компактной фотонной интеграции

Запрос Корзина 0