MOSFET транзистора TI CSD75207W15 одевает двойной Pin DSBGA T/R p CH 3.9A 9
Номер модели:CSD75207W15
Место происхождения:Филиппины
Количество минимального заказа:Qty пакета
Условия оплаты:T/T
Способность поставки:1000+
Срок поставки:2 недели
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen China
Адрес:
Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China
последний раз поставщика входа:
в рамках 2 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
MOSFET транзистора TI CSD75207W15 одевает двойное P-CH 3.9A 9-Pin DSBGA T/R
Технические данные продукта
| ЕС RoHS | Уступчивый |
| ECCN (США) | EAR99 |
| Состояние части | Активный |
| SVHC | Да |
| Автомобильный | Никакой |
| PPAP | Никакой |
| Категория продукта | MOSFET силы |
| Конфигурация | Двойной |
| Технологический прочесс | NexFET |
| Режим канала | Повышение |
| Тип канала | P |
| Количество элементов в обломок | 2 |
| Максимальное напряжение тока источника ворот (v) | -6 |
| Максимальное напряжение тока порога ворот (v) | 1,1 |
| Максимальное непрерывное течение стока (a) | 3,9 |
| Максимальное течение утечки источника ворот (nA) | 100 |
| Максимальное IDSS (uA) | 1 |
| Максимальное сопротивление источника стока (MOhm) | 54@4.5V |
| Типичная обязанность @ Vgs ворот (nC) | 2,9 |
| Типичная входная емкость @ Vds (pF) | 458 |
| Максимальная диссипация силы (mW) | 700 |
| Типичное время падения (ns) | 16 |
| Типичное время восхода (ns) | 8,6 |
| Типичное время задержки поворота- (ns) | 32,1 |
| Типичное время задержки включения (ns) | 12,8 |
| Минимальная рабочая температура (°C) | -55 |
| Максимальная рабочая температура (°C) | 150 |
| Упаковка | Лента и вьюрок |
| Пакет поставщика | DSBGA |
| Отсчет Pin | 9 |
| Имя стандартного пакета | BGA |
| Установка | Поверхностный держатель |
| Высота пакета | 0,28 (Макс) |
| Длина пакета | 1,5 |
| Ширина пакета | 1,5 |
| PCB изменил | 9 |
| Форма руководства | Шарик |
MOSFET транзистора TI CSD75207W15 одевает двойной Pin DSBGA T/R p CH 3.9A 9
Запрос Корзина
0