Микросхемы памяти 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3V SRAM 2Mb EMMC
Номер модели:IS61LV2568L-10T
Место происхождения:Оригинал
Количество минимального заказа:10pcs
Условия оплаты:T/T, западное соединение, PayPay
Способность поставки:1000PCS/Months
Срок поставки:2-3 трудодня
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen China
Адрес:
5C,Building D,GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN
последний раз поставщика входа:
в рамках 48 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
IS61LV2568L-10T SMD/SMT SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v
ОСОБЕННОСТИ
• Высокоскоростное время выборки: 8, 10 ns
• Рабочий ток: 50mA (тип.)
• Резервное течение: 700µA (тип.)
• Множественные разбивочные штыри силы и земли для большей невосприимчивости шума
• Легкое расширение памяти с вариантами CE и OE
• Сила-вниз CE
• Входы и выходы TTL совместимые
• Одиночное электропитание 3.3V
• Пакеты доступные: – штырь 36 SOJ 400 mil – 44 штырь TSOP (тип II)
• Неэтилированное доступное
ОПИСАНИЕ
ISSI IS61LV2568L очень высокоскоростные, низкая мощность, слово 262 144 8-разрядным RAM CMOS статическим. IS61LV2568L изготовлено используя технологию CMOS ISSI высокопроизводительную.
Этот сильно надежный процесс соединенный с новаторскими методами расчета цепи, производит приборы потребления высокого класса исполнения и низкой мощности. Когда CE ВЫСОКО (отсеиванный), прибор принимает режим ожидания на который диссипацию силы можно уменьшить вниз к 36mW (максимальному) с уровнями входного сигнала CMOS.
IS61LV2568L работает от одиночного электропитания 3.3V и все входные сигналы TTL-совместимы. IS61LV2568L доступно в штыре 36 SOJ 400 mil и 44 пакета штыря TSOP (типа II).
| SRAM | |
| RoHS: | N |
| 2 Mbit | |
| 256 k x 8 | |
| 10 ns | |
| Параллельный | |
| 3,63 v | |
| 2,97 v | |
| 60 мам | |
| 0 c | |
| + 70 c | |
| SMD/SMT | |
| TSOP-44 | |
| Поднос | |
| Бренд: | ISSI |
| Тариф данных: | SDR |
| Влага чувствительная: | Да |
| Количество портов: | 1 |
| Тип продукта: | SRAM |
| Серия: | IS61LV2568L |
| Количество пакета фабрики: | 135 |
| Subcategory: | Память & хранение данных |
| Тип: | Асинхронный |
Микросхемы памяти 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3V SRAM 2Mb EMMC
Запрос Корзина
0