Транзисторы 18.8dB RF транзисторов ASI MRF9045LR1 двухполярные
Номер модели:MRF9045LR1
Место происхождения:Оригинал
Количество минимального заказа:10pcs
Условия оплаты:L/C, западное соединение, palpay
Способность поставки:1000PCS/Months
Срок поставки:2-3 трудодня
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen China
Адрес:
5C,Building D,GALAXY WORLD.Longhua District, Shenzhen.CN
последний раз поставщика входа:
в рамках 48 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Оригинал Si транзисторов MRF9045LR1TRANSISTORS RF двухполярный в запасе
ASI MRF9045LR1 золото-металлизированное высокое напряжение,
сбоку отраженный полупроводник металлической окиси. Идеал для сегодняшнего
Применения усилителя силы RF.
| Транзисторы MOSFET RF | |
| RoHS: | Детали |
| N-канал | |
| Si | |
| 4,25 a | |
| 65 v | |
| 945 MHz | |
| dB 18,8 | |
| 60 w | |
| SMD/SMT | |
| NI-360 | |
| Поднос | |
| Конфигурация: | Одиночный |
| Передний Transconductance - минута: | 3 s |
| Pd - диссипация силы: | 117 w |
| Тип продукта: | Транзисторы MOSFET RF |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Тип: | MOSFET силы RF |
| Vgs - напряжение тока Ворот-источника: | 15 v |
| Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника: | 4,8 v |
| Вес блока: | 0,032480 oz |
Типичные 2•
−
Представление тона на 945 MHz, 28 вольтах
Сила выхода — 45 ватт ПОДБАДРИВАЮЩЕГО
Увеличение силы — dB 18,8
Эффективность — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Интегрированное предохранение от ESD
•
Конструированный для максимальной плоскостности участка увеличения
и ввода
•
Способный на регулировать 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 ватт CW
Сила выхода
•
Превосходная термическая стабильность
•
Охарактеризованный с эквивалентом серии большим
−
Параметры импеданса сигнала
•
В ленте и вьюрке. Суффикс R1 = 500 блоков в 32 mm, вьюрок 13
дюймов.
•
Низкая толщина плакировкой золота на руководствах. L суффикс
показывает 40
′ ′ μ
Nomin
•
Типичные 2
−
Представление тона на 945 MHz, 28 вольтах
Сила выхода — 45 ватт ПОДБАДРИВАЮЩЕГО
Увеличение силы — dB 18,8
Эффективность — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Интегрированное предохранение от ESD
•
Конструированный для максимальной плоскостности участка увеличения
и ввода
•
Способный на регулировать 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 ватт CW
Сила выхода
•
Превосходная термическая стабильность
•
Охарактеризованный с эквивалентом серии большим
−
Параметры импеданса сигнала
•
В ленте и вьюрке. Суффикс R1 = 500 блоков в 32 mm, вьюрок 13
дюймов.
•
Низкая толщина плакировкой золота на руководствах. L суффикс
показывает 40
′ ′ μ
Nomin
•
Типичные 2
−
Представление тона на 945 MHz, 28 вольтах
Сила выхода — 45 ватт ПОДБАДРИВАЮЩЕГО
Увеличение силы — dB 18,8
Эффективность — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Интегрированное предохранение от ESD
•
Конструированный для максимальной плоскостности участка увеличения
и ввода
•
Способный на регулировать 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 ватт CW
Сила выхода
•
Превосходная термическая стабильность
•
Охарактеризованный с эквивалентом серии большим
−
Параметры импеданса сигнала
•
В ленте и вьюрке. Суффикс R1 = 500 блоков в 32 mm, вьюрок 13
дюймов.
•
Низкая толщина плакировкой золота на руководствах. L суффикс
показывает 40
′ ′ μ
Nomin
•
Типичные 2
−
Представление тона на 945 MHz, 28 вольтах
Сила выхода — 45 ватт ПОДБАДРИВАЮЩЕГО
Увеличение силы — dB 18,8
Эффективность — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Интегрированное предохранение от ESD
•
Конструированный для максимальной плоскостности участка увеличения
и ввода
•
Способный на регулировать 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 ватт CW
Сила выхода
•
Превосходная термическая стабильность
•
Охарактеризованный с эквивалентом серии большим
−
Параметры импеданса сигнала
•
В ленте и вьюрке. Суффикс R1 = 500 блоков в 32 mm, вьюрок 13
дюймов.
•
Низкая толщина плакировкой золота на руководствах. L суффикс
показывает 40
′ ′ μ
Nomin
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
−
1
Данные по прибора RF
Полупроводник Freescale
Транзисторы влияния поля силы RF
N
−
Повышение канала
−
MOSFETs режима боковые
Конструированный
для широкополосных коммерчески и промышленных применений с frequen-
cies до 1000 MHz. Высокий ga
в и широкополосное представление этих
приборы делают их идеальный для большой
−
сигнал, общий
−
applica- усилителя источника
tions в оборудовании базовой станции 28 вольт.
•
Типичные 2
−
Представление тона на 945 MHz, 28 вольтах
Сила выхода — 45 ватт ПОДБАДРИВАЮЩЕГО
Увеличение силы — dB 18,8
Эффективность — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Интегрированное предохранение от ESD
•
Конструированный для максимальной плоскостности участка увеличения
и ввода
•
Способный на регулировать 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 ватт CW
Сила выхода
•
Превосходная термическая стабильность
•
Охарактеризованный с эквивалентом серии большим
−
Параметры импеданса сигнала
•
В ленте и вьюрке. Суффикс R1 = 500 блоков в 32 mm, вьюрок 13
дюймов.
•
Низкая толщина плакировкой золота на руководствах. L суффикс
показывает 40
′ ′ μ
Никакой
Транзисторы 18.8dB RF транзисторов ASI MRF9045LR1 двухполярные
Запрос Корзина
0