Обломок IC интегральной схемаы MUN5312DW1T1G

Номер модели:MUN5312DW1T1G

Место происхождения:НА

Количество минимального заказа:1

Условия оплаты:T/T

Способность поставки:3000

Упаковывая детали:Коробки

контакт

Add to Cart

Активный участник

Адрес: КОРОЛЬ ПРОМЫШЛЕННОЕ ЗДАНИЕ FLAT/RM D52 3/F WONG ОТСУТСТВИЕ УЛИЦЫ 2TAU=I YAU

последний раз поставщика входа: в рамках 25 .

контактная информация

Метки товара:

Чип ба6в1х PM8994 IC чип IC чип r2a20250

Запрос Корзина 0

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Изготовитель:	onsemi
Категория продукта:	Двухполярные транзисторы - Пре-пристрастные
RoHS:	Детали
Конфигурация:	Двойной
Полярность транзистора:	NPN, PNP
Типичный резистор входного сигнала:	22 kOhms
Типичный коэффициент резистора:	1
Устанавливать стиль:	SMD/SMT
Пакет/случай:	SC-88-6
Сборник DC/низкопробная минута hfe увеличения:	60
Напряжение тока коллектор- эмиттера VCEO Макс:	50 v
Непрерывное течение сборника:	0,1 a
Пиковое течение сборника DC:	100 мам
Pd - диссипация силы:	187 mW
Минимальная рабочая температура:	- 55 c
Максимальная рабочая температура:	+ 150 c
Серия:	MUN5312DW1
Упаковка:	Вьюрок
Упаковка:	Раскроенная лента
Упаковка:	MouseReel
Бренд:	onsemi
HFE Макс настоящего увеличения DC:	60 на 5 мамах на 10 v
Высота:	0,9 mm
Длина:	2 mm
Количество каналов:	Канал 2
Тип продукта:	BJTs - двухполярные транзисторы - Пре-пристрастное
	3000
Subcategory:	Транзисторы
Ширина:	1,25 mm
Вес блока:	0,000219 oz