китай категории
Русский язык

Микросхема памяти 32 K x DS1230Y 150 256kb Ic Temp 8 150 Ns коммерчески не испаряющий

Brand Name:Maxim Integrated
Certification:Original Part
Model Number:DS1230Y-150+
Minimum Order Quantity:1PCS
Delivery Time:2~5 Working Days (Subjected to availability of Stock)
Payment Terms:T/T, Western Union, Paypal, Wechat Pay
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: 9E, блок a, площадь Huaqiang, Huaqiangbei, Futian, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 48 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

ДС1230И-150+ 256кб (32 Темп слаболетучее СРАМ к кс 8) 150 нс коммерчески - ДИП-28
 

 

 

Описание:

 

ДС1230 256к слаболетучее СРАМс 262 144 бит, полностью статическое, слаболетучее СРАМс организованное как 32 768 слов 8 битами.

Каждый НВ СРАМ имеет сдержанные сети источника и управления энергии лития которые постоянн контролируют ВКК для

условие вне--допуска. Когда такое условие происходит, источник энергии лития автоматически включен и

напишите защиту безусловно позволяет предотвратить нарушение целостности данных. приборы Погружение-пакета ДС1230 можно использовать внутри

место существуя 32к кс 8 статических штосселей сразу соответствуя популярному бытевиде стандарту ПОГРУЖЕНИЯ 28 штырей. Приборы ПОГРУЖЕНИЯ

также соответствуйте пиноут 28256 ЭЭПРОМс, позволяющ сразу замещению пока увеличивающ представление. Приборы ДС1230

в пакете модуля низкопрофильного специфически конструируйте для применений поверхност-держателя. Никакой предел на

номер пишет циклы которые можно исполнить и никакие сети дополнительной поддержки необходимы для взаимодействовать микропроцессора.

 

 

 

Особенности:

 

ƒ 10 минимального лет удерживания данных в отсутствии данных по ƒ внешней силы автоматически защищено во время ƒ потерь электропитания

Заменяет РАМ 8 32к кс испаряющий статический, ƒ ЭЭПРОМ или флэш-памяти неограниченное пишет ƒ циклов маломощное прочитанное ƒ КМОС и

времена доступа для записи как быстро по мере того как источник энергии лития ƒ 70 нс электрически не отключен для того чтобы сохранить свежесть до силы

приложенное в первый раз ƒ рабочего диапазона ВКК ƒ опционное ±5% рабочего диапазона ВКК ƒ вполне ±10% (ДС1230И) (ДС1230АБ)

Опционный промышленный обозначенный диапазон температур -40°К к +85°К, ƒ ПоверКап пакета ПОГРУЖЕНИЯ штыря стандарта 28 ƒ ДЖЭДЭК ИНД

Пакет модуля (ПКМ) - сразу поверхност-моунтабле модуль - меняемый кнопк-на ПоверКап обеспечивает подпорку лития

батарея - унифицированное пиноут для всех слаболетучих продуктов СРАМ - особенность отрыва на ПоверКап позволяет легкому удалению

используя регулярную отвертку.

 

 

 

Таблица атрибутов:

 

 

 

Плотность памяти256кб
Организация памяти32 к кс 8
Напряжение тока-Ном поставки4.5В к 5.5В
Получать доступ к Врем-Максу150нс
ИнтерфейсПараллель
Ранг температурыКоммерчески
Работая ряд Темп0°К к 70°К
Диапазон температур хранения-40°К к +85°К

 

 

 

 

для схемы данных продукта, КОНТАКТ США сразу

China Микросхема памяти 32 K x DS1230Y 150 256kb Ic Temp 8 150 Ns коммерчески не испаряющий supplier

Микросхема памяти 32 K x DS1230Y 150 256kb Ic Temp 8 150 Ns коммерчески не испаряющий

Запрос Корзина 0