китай категории
Русский язык

Pd w транзистора силы 125 Mosfet GaN низкой обязанности ворот крутой - диссипация силы

Brand Name:Original brand
Certification:Original
Model Number:IGOT60R070D1AUMA1
Minimum Order Quantity:800pcs
Delivery Time:2-3days
Payment Terms:T/T
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: 9E, блок a, площадь Huaqiang, Huaqiangbei, Futian, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 48 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Транзистор силы МОСФЭТ 600В КоолГаН транзистора силы ИГОТ60Р070Д1АУМА1 Мосфет

 

Особенности

• Транзистор режима повышения – нормально С переключателя

• Ультра быстрое переключение

• Отсутствие обязанности обратн-спасения

• Способный на обратной кондукции

• Низкая обязанность ворот, низкая обязанность выхода

• Главная пересеченность коммутирования

• Квалифицированный для промышленных применений согласно стандартам ДЖЭДЭК (ДЖЭСД47 и ДЖЭСД22)

 

Преимущества

• Улучшает эффективность системы

• Улучшает плотность мощности

• Включает более высокую равочую частоту

• Сбережения уменьшения стоимости системы

• Уменьшает ЭМИ

 

 

 

Категории

Транзистор силы МОСФЭТ 600В КоолГаН

ИГОТ60Р070Д1АУМА1
Полярность транзистораН-канал
Работая диапазон температур -55К к +150К
На-сопротивление источника утечки70 мОхмс
ПакетПГ-ДСО-20
Диссипация Пд-силы125 в
Напряжение тока порога источника тх-ворот Вгс600 в
Непрерывное течение утечки31 а


 
вопросы и ответы:

 

Дорогой клиент, пожалуйста выбирает самый удобный метод пересылки для вас.

 

Мы имеем долгосрочное сотрудничество с агентом пересылки, они обеспечим нам самую низкую цитату с самым лучшим обслуживанием.

 

Если вы имеете кчет курьера, то пожалуйста скажите нам перед подтверждением заказа.

 

Пожалуйста скажите нам ваши заинтересованные продукты

 

Мы скажем вас больше удовлетворил ответ в самом коротком возможном времени

 

 

 
 
 
 
 

Метки товара:
China Pd w транзистора силы 125 Mosfet GaN низкой обязанности ворот крутой - диссипация силы supplier

Pd w транзистора силы 125 Mosfet GaN низкой обязанности ворот крутой - диссипация силы

Запрос Корзина 0