китай категории
Русский язык

память обломока ЭЭПРОМ флэш-памяти 2кбит/утверждение хранения данных 24ЛК02БТ-И/СН РОХС

Номер модели:24LC02BT-I/SN
Место происхождения:Первоначально фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Термины компенсации:T/T, Западная Union,PAYPAL
Способность поставкы:100000pcs
Срок поставки:1-3days
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Комната 1120, пол 11рд, новое здание Азии Гуоли, район Футян, город Шэньчжэня, провинция Гуандун Китай, застежка-молния: 518031
последний раз поставщика входа: в рамках 14 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Память & хранение данных обломока ЭЭПРОМ флэш-памяти кбит 24ЛК02БТ-И/СН 2

 

Номер детали

ВКК ряд

Максимальная тактовая частота

Темп. Ряды  

Доступные пакеты

24АА02

1.7В-5.5В

400 КГц (1)

И

П, СН, МС, СТ, МК, ЛТ, МНИ, ОТ

24ЛК02Б

2.5В-5.5В

400 КГц

И, Э

П, СН, МС, СТ, МК, ЛТ, МНИ, ОТ

24ФК02

1.7В-5.5В  

1 МХз

И, Э

П, СН, МС, СТ, МУИ, ОТ

Примечание 1: 100 КГц для ВКК < 2="">

 

ОБЩИЕ ОПИСАНИЯ
 

Микросхема Технология Инк. 24СС 02(1) электрически стираемый ВЫПУСКНОЙ ВЕЧЕР 2-Кбит. Организован прибор по мере того как один блок памяти 256 кс 8-разрядной с двухпрободным последовательным интерфейсом. Свой дизайн низшего напряжения позволяет деятельность вниз к 1.7В с положением боевой готовности и активными токами только 1 μА и мамы 1, соответственно. 24СС02 также имеет страницу написать возможность для до 8 байт данных.

 

ОСОБЕННОСТИ
 
• Определите поставку с деятельностью вниз к 1.7В для 24ААСС и 24ФКСС приборов, 2.5В для приборов 24ЛКСС
• Маломощная технология КМОС:
- Прочитайте мам течения 1, максимум
- Резервное μА течения 1, максимум (Я-темп.)
• двухпрободный последовательный интерфейс, И2К совместимое
• Входные сигналы пуска Шмитт для подавления шума
• Управление наклона выхода для того чтобы исключить земной прыжок
• 100 КГц, 400 КГц и 1 МХз совместимости
• Страница пишет время: 5 госпожа, максимум
• Само-синхронизированное стирание/пишет цикл
• страница 8-Быте пишет буфер
• Врите-протект оборудования
• Предохранение от >4,000В ЭСД
• Больше чем 1 миллион стираний/пишет циклы
• Леты удерживания >200 данных
• Программирование фабрики доступное
• РоХС уступчивое
• Диапазоны температур:
- Промышленный (И): -40°К к +85°К
- Расширенный (е): -40°К к +125°К
• Автомобильное квалифицированное АЭК-К100
 
Пакет
 
• 8-Леад ДФН, 8-Леад МСОП, 8-Леад ПДИП, 8-Леад СОИК, 8-Леад ТДФН, 8-Леад ТССОП, 8-Леад УДФН, 5-Леад СОТ-23 и 5-Леад СК-70
 
 
 

Микросхема:
24АА02Т-И/СНГ 24ЛК02БТ/СТ 24ЛК02БТ/СН 24ЛК02Б-Э/СНГ 24ЛК02Б-Э/П 24АА02/П 24ЛК02БТ-И/СТГ
24ЛК02БТ-И/СНГ 24ЛК02Б-И/СТГ 24ЛК02Б-И/СНГ 24АА02Т-И/СН 24АА02Т-И/ОТ 24АА02Т-И/СТ 24АА02-И/МС
24АА02-И/СТ 24АА02-И/СН 24АА02-И/ПГ 24ЛК02БТ-Э/СНГ 24АА02-И/МСГ 24АА02Т-И/СТГ 24ЛК02Б/П 24АА02ТИ/МСГ 24ЛК02Б-И/МСГ 24ЛК02Б-Э/СН 24ЛК02Б-Э/СТ 24ЛК02Б-Э/МС 24ЛК02Б-И/СТ 24ЛК02Б-И/МС 24ЛК02БТЭ/МС 24ЛК02Б-И/СН 24ЛК02БТ-Э/СН 24ЛК02БТ-Э/СТ 24ЛК02Б-И/ПГ 24ЛК02БТ-Э/ОТ 24АА02Т-И/ОТГ
24АА02Т/СТ 24АА02Т/СН 24АА02-И/СТГ 24АА02-И/СНГ 24ЛК02Б/СТ 24АА02Т-И/МС 24ЛК02Б/СН 24ЛК02БТИ/МСГ 24ЛК02Б-И/П 24ЛК02БТ-И/ОТГ 24АА02-И/П 24ЛК02БТ-И/ОТ 24ЛК02БТ-И/МС 24ЛК02БТ-И/СТ 24ЛК02БТИ/СН 24АА02/СН 24АА02/СТ 24ЛК02БТ-И/МНИ 24ЛК02БТ-И/ЛТ 24ЛК02БТ-Э/ЛТ 24ЛК02Б-И/МНИ 24ЛК02БТЭ/МНИ 24АА02Т-И/МНИ 24АА02-И/МНИ 24ЛК02Б-Э/МНИ 24АА02Т-И/ЛТ 24АА02Т-И/МК 24ЛК02БТ-И/МК 24ФК02-
И/МС 24ФК02Т-И/СТ 24ФК02Т-И/ОТ 24ФК02-И/СН 24ФК02-И/П 24ФК02Т-И/СН 24ФК02Т-И/МУИ 24ФК02-И/СТ
24ФК02Т-И/МС 24ФК02-Э/СН 24ФК02Т-Э/СТ 24ФК02-Э/П 24ФК02Т-Э/СН 24ФК02Т-Э/МУИ 24ФК02-Э/МС
24ФК02Т-Э/ОТ 24ФК02Т-Э/МС 24ФК02-Э/СТ

 
 

 
China память обломока ЭЭПРОМ флэш-памяти 2кбит/утверждение хранения данных 24ЛК02БТ-И/СН РОХС supplier

память обломока ЭЭПРОМ флэш-памяти 2кбит/утверждение хранения данных 24ЛК02БТ-И/СН РОХС

Запрос Корзина 0