Тип кремния НПН транзистора ИК мощного усилителя звуковой частоты 2СК5171 эпитаксиальный 200 МХз
Номер модели:2SC5171
Место происхождения:Первоначально фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Термины компенсации:T/T, Западная Union，PAYPAL
Способность поставкы:100000pcs
Срок поставки:1-3days
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
Комната 1120, пол 11rd, новая Азия Guoli строя, район Futian, город Шэньчжэня, провинция Гуандун Китай, застежка-молния: 518031
последний раз поставщика входа:
в рамках 14 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Тип применения кремния NPN транзистора 2SC5171 ТОШИБА эпитаксиальный усилителя силы
ОСОБЕННОСТИ
• Высокая частота перехода: fT = 200 MHz (тип.)
• Комплементарный к 2SA1930
Электрические характеристики (Tc = 25°C)
Характеристики | Символ | Условие испытаний | Минута | Тип. | Макс | Блок |
Течение выключения сборника | ICBO | VCB = 180 V, IE = 0 | - | - | 5,0 | μA |
Течение выключения излучателя | IEBO | VEB = 5 V, IC = 0 | - | - | 5,0 | μA |
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР V (BR) | IC = 10 мам, IB = 0 | 180 | - | - | V |
Увеличение DC настоящее | hFE (1) | VCE = 5 V, IC = 0,1 A | 100 | - | 320 | |
hFE (2) | VCE = 5 V, IC = 1 A | 50 | - | - | ||
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | VCE (сидел) | IC = 1 A, IB = 0,1 A | - | 0,16 | 1,0 | V |
напряжение тока Основани-излучателя | VBE | VCE = 5 V, IC = 1 A | - | 0,68 | 1,5 | V |
Частота перехода | fT | VCE = 5 V, IC = 0,3 A | - | 200 | - | MHz |
Емкость выхода сборника | Удар | VCB = 10 v, IE = 0, f = 1 MHz | - | 16 | - | pF |
Абсолютный максимум оценок (Tc = 25°C)
Характеристики | Символ | Оценка | Блок | |
Напряжение тока коллектора- база | VCBO | 180 | V | |
Напряжение тока коллектор- эмиттера | VCEO | 180 | V | |
напряжение тока Излучател-основания | VEBO | 5 | V | |
Течение сборника | IC | 2 | ||
Ток базы | IB | 1 | ||
Диссипация силы сборника | Животики = 25°C | ПК | 2,0 | W |
Tc = 25°C | 20 | |||
Температура соединения | Tj | 150 | °C | |
Диапазон температур хранения | Tstg | −55до150 | °C | |
Применения
• Применения усилителя силы
• Применения усилителя задающего каскада
Тип кремния НПН транзистора ИК мощного усилителя звуковой частоты 2СК5171 эпитаксиальный 200 МХз
Запрос Корзина
0