китай категории
Русский язык

Неэтилированный транзистор Мосфет канала н, транзистор ИРФ640НПБФ Мосфет 200В 18А высокоскоростной

Номер модели:IRF640NPBF
Место происхождения:Первоначально фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Термины компенсации:T/T, Западная Union,PAYPAL
Способность поставкы:100000pcs
Срок поставки:1-3days
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Комната 1120, пол 11rd, новая Азия Guoli строя, район Futian, город Шэньчжэня, провинция Гуандун Китай, застежка-молния: 518031
последний раз поставщика входа: в рамках 14 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Канал 200В 18А Транс н ПОГРУЖЕНИЯ ИРФ640НПБФ переключая транзистор силы МОСФЭТ

Описание

МОСФЭТ с силы ® пятого поколения ХЭСФЭТ от международного выпрямителя тока использует предварительные методы обработки достигнуть весьма - низкого на-сопротивления в зону кремния. Это преимущество, совмещенное с быстрой скоростью переключения и усиливанным дизайном прибора что МОСФЭЦ силы ХЭСФЭТ известный для, обеспечивает дизайнера с весьма эффективным и надежным прибором для пользы в большом разнообразии применений.
Пакет ТО-220 универсально предпочтен для всех коммерчески-промышленных применений на уровнях диссипации силы до приблизительно 50 ватт. Низкое термальное сопротивление и низкая цена пакета ТО-220 вносят вклад в свое широкое принятие в течении индустрии.
Д2ПакповерхностныйпакетсилыдержателяспособныйнааккоммодатингумираетразмерыдоХЭС-4. Онобеспечиваетвозможностьсамой высокойсилыипредельно низкоенасопротивлениивлюбомсуществующемповерхностномпакетедержателя. Д2Паксоответствующийдлясильнотоковыхпримененийиз-засвоегонизкоговнутреннегосопротивлениясоединенияиможетрассеятьдо2.0Ввтипичномповерхностномприменениидержателя.
Версия через-отверстия (ИРФ640НЛ) доступна для применения низкопрофильного.

 
Особенность

 

л предварительный технологический прочесс

л динамическая оценка дв/дт
л 175°К работая емпературе т

л голодает переключение

л полно расклассифицированная лавина
л легкость проходить параллельно
л простые требования к привода

л неэтилированный

 

 

Пакет

 

 
 
China Неэтилированный транзистор Мосфет канала н, транзистор ИРФ640НПБФ Мосфет 200В 18А высокоскоростной supplier

Неэтилированный транзистор Мосфет канала н, транзистор ИРФ640НПБФ Мосфет 200В 18А высокоскоростной

Запрос Корзина 0