ФМ24КЛ04Б-ГТР 4 - память Кбит не испаряющая, интерфейс серийной флэш-памяти быстрый И2К ФРАМ
Номер модели:FM24CL04B
Место происхождения:Первоначально фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Термины компенсации:T/T, Западная Union，PAYPAL
Способность поставкы:100000pcs
Срок поставки:1-3days
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
Комната 1120, пол 11rd, новая Азия Guoli строя, район Futian, город Шэньчжэня, провинция Гуандун Китай, застежка-молния: 518031
последний раз поставщика входа:
в рамках 14 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Обломок 4Кбит флэш-памяти ФМ24КЛ04Б-ГТР голодает двухпрободная вспышка последовательного интерфейса серийная ФРАМ
Описание
ФМ24КЛ04Б энергонезависимая память 4-Кбит используя предварительный
ферроелектрик процесс. Ферроелектрик оперативное запоминающее
устройство или Ф-РАМ слаболетучи и выполняют читают и пишут
подобное РАМ. Он обеспечивает удерживание достоверных данных на 151
лет пока исключающ сложности, накладные расходы, и на уровне систем
проблемы надежности причиненные ЭЭПРОМ и другими энергонезависимыми
памятями. Не похож на ЭЭПРОМ, ФМ24КЛ04Б выполняет пишет
деятельность на скорости автобуса. Никакой напишите задержки
произведите. Данные написаны в массив памяти немедленно после
каждый байт успешно возвращен к прибору. Следующий цикл автобуса
может начать без потребности для полинга данных. К тому же, продукт
предлагает реальность пишет выносливость сравненную с другими
энергонезависимыми памятями. Также, Ф-РАМ показывает гораздо ниже
силу во время пишет чем ЭЭПРОМ в виду того что напишите
деятельность не требуют внутренне повышенного напряжения тока
электропитания для пишут цепи. ФМ24КЛ04Б способно на поддерживать
прочитанное 1014/пишет циклы, или 100 миллионов времена больше
пишут циклы чем ЭЭПРОМ. Эти возможности делают идеал для применений
энергонезависимой памяти, требование ФМ24КЛ04Б частое или быстрый
пишет. Примеры выстраивают в ряд от регистрации данных, где номер
пишет циклы может быть критическим, к требовать промышленным
контролям где длинные пишут время ЭЭПРОМ могут причинить потерю
данных. Особенности сочетания из позволяют более частому
сочинительству данных с меньше накладных расходов для системы.
ФМ24КЛ04Б снабжает существенные преимущества потребители сериала
(И2К) ЭЭПРОМ как оборудование падени-в замене. Спецификации прибора
гарантированы над промышленным диапазоном температур – 40 к к К.
+85.
Особенности
оперативное запоминающее устройство ■ 4-Кбит ферроелектрик (Ф-РАМ) логически
организованный как 512 × 8
Высоко-выносливость 100 прочитанный триллион ❐ (1014)/пишет
❐ удерживание 151 данному по года (см. удерживание и выносливость данных
на страница 10)
❐ НоДелай™ пишет
Процесс предварительной высоко-надежности ❐ ферроелектрик
Последовательный интерфейс ■ быстрый двухпрободный (И2К)
❐ до частоты 1-МХз
Замена оборудования ❐ сразу для сериала (И2К) ЭЭПРОМ
❐ поддерживает времена наследия для 100 КГц и 400 КГц
Потребление низкой мощности ■
активный ток а ❐ 100 на 100 КГц
течение а ❐ 3 (типа) резервное
Деятельность напряжения тока ■: ВДД = 2,7 в к 3,65 в
Температура ■ промышленная: – 40 к к +85 к
пакет (SOIC) интегральной схемаы плана штыря ■ 8 небольшой
Ограничение ■ опасных веществ (RoHS) уступчивого
оперативное запоминающее устройство ■ 4-Кбит ферроелектрик (Ф-РАМ) логически
организованный как 512 × 8
Высоко-выносливость 100 прочитанный триллион ❐ (1014)/пишет
❐ удерживание 151 данному по года (см. удерживание и выносливость данных
на страница 10)
❐ НоДелай™ пишет
Процесс предварительной высоко-надежности ❐ ферроелектрик
Последовательный интерфейс ■ быстрый двухпрободный (И2К)
❐ до частоты 1-МХз
Замена оборудования ❐ сразу для сериала (И2К) ЭЭПРОМ
❐ поддерживает времена наследия для 100 КГц и 400 КГц
Потребление низкой мощности ■
активный ток а ❐ 100 на 100 КГц
течение а ❐ 3 (типа) резервное
Деятельность напряжения тока ■: ВДД = 2,7 в к 3,65 в
Температура ■ промышленная: – 40 к к +85 к
пакет (SOIC) интегральной схемаы плана штыря ■ 8 небольшой
Ограничение ■ опасных веществ (RoHS) уступчивого
Применения
Промышленный, сообщение & сеть
ФМ24КЛ04Б-ГТР 4 - память Кбит не испаряющая, интерфейс серийной флэш-памяти быстрый И2К ФРАМ
Запрос Корзина
0