4нс голодают 1н4150 диод, диод сигнала переключения с высокой надежностью

Номер модели:1N4150

Место происхождения:Китай

Количество минимального заказа:5000pcs

Термины компенсации:T / T, Western Union

Способность поставкы:100000пкс в 1 неделю

Срок поставки:5 до 8 дней работы

контакт

Add to Cart

CO. электроники Wuxi Xuyang, Ltd.

Проверенные Поставщика

Адрес: No.149, дорога Zhongxin, городок Gaocheng, город Исина, Цзянсу, Китай

последний раз поставщика входа: в рамках 48 .

контактная информация

Информация о продукте Профиль Компании

Информация о продукте

высокоскоростной диод переключения 1N4150 1N4150 50V 200MA с пакетом DO-35

Особенности

1. Высокая надежность
2. высокая возможность пропускного тока

Применения

Высокоскоростной переключатель и общецелевая польза в компьютере и промышленных применениях

Конструкция

Плоскостное кремния эпитаксиальное

Механические данные

Случай: DO-35, MiniMELF

Терминалы: Покрытые руководства Solderable согласно с MIL-STD-202, метод 208

Полярность: Диапазон катода

Вес: DO-35 0,13 грамма MiniMELF 0,05 грамма

Маркировка: Диапазон катода только

Абсолютный максимум оценок

TJ = 25°C

Параметр	Условия испытаний	Символ	Значение	Блок
Повторяющийся пиковое обратное напряжение		VRRM	50	V
Обратное напряжение		VR	40	V
Пиковое течение передней пульсации	tp≦1 s	IFSM	4
Пропускной ток		ЕСЛИ	600	мамы
Средний пропускной ток	VR =0	IFAV	300	мамы
Диссипация силы		Pv	500	mW
Температура соединения		Tj	175	℃
Диапазон температур хранения		Tstg	-65~+125	℃

Максимальное термальное сопротивление

TJ = 25°C

Параметр	Условия испытаний	Символ	Значение	Блок
Соединение окружающее	на доске ПК 50mm×50mm×1.6mm	RthJA	500	K/W

Электрические характеристики

TJ = 25°C

Параметр	Условие испытаний	Символ	Минута	Тип	Макс	Блок
Пропускное напряжение	ЕСЛИ = 1mA	VF	0,54		0,62	V
	ЕСЛИ = 10mA	VF	0,66		0,74	V
	ЕСЛИ = 50mA	VF	0,76		0,86	V
	ЕСЛИ = 100mA	VF	0,82		0,92	V
	ЕСЛИ = 200mA	VF	0,87		1,0	V
Обратное течение	VR = 20V	Инфракрасн			100	nA
Обратное течение	VR = 50V, TJ = 150°C	Инфракрасн			100	μA
Емкость диода	VR = 0, f=1MHz, VHF-50mV	CD			2,5	pF
Обратное время восстановления	ЕСЛИ = инфракрасн = 10… 100mA, инфракрасн = 1mA, RL = 100Ω	trr			4	ns