
Add to Cart
MT41J128M16JT-107: Регистр ДРАХМЫ 2G 128Mx16 DDR3MULTIPURPOSE K
1.Features
VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
• 1.5V центр-прекратило I/O нажима/тяги
• Дифференциальный двухнаправленный строб данных
•архитектура prefetch 8n-bit
• Входные сигналы дифференциальных часов (CK, CK#)
• 8 внутренних банков
• Номинальное и динамическое прекращение на-плашки (ODT) для
данных, строба, и сигналов маски
• Programmable CAS ПРОЧИТАЛ латентность (CL)
• Вывешенная латентность CAS аддитивная (AL)
• Programmable CAS ПИШУТ латентность (CWL) основали ontCK
• Зафиксированная разрыванная длина (BL) 8 и разрыванной отбивной
котлеты (ДО РОЖДЕСТВА ХРИСТОВА) из 4 (через набор регистра режима
[ГОСПОЖА])
• Дискретные BC4 или BL8 на ходу (OTF)
• Собственная личность освежает режим
•TC 0°C к 95°C- 64ms, циклу 8192 освежить на 0°C к 85°C- 32ms,
циклу 8192 освежить на 85°C к 95°C
• Собственная личность освежает температуру (SRT)
• Автоматическая собственная личность освежает (ASR
• Выравнивать Write
• Универсальный регистр
• Тарировка водителя выхода
описание 2.Functional
DR3 SDRAM использует двойную архитектуру тарифа данных для того
чтобы достигнуть высокоскоростной деятельности. Двойная архитектура
тарифа данных архитектура 8n-prefetch с интерфейсом
конструированным для возвращения 2 слов данных в такт на штыри I/O.
Одиночные чтение или writeoperation для DDR3 SDRAM эффектно состоят
из одиночного 8n-bit-wide, передачи данных 4-час-цикла на
внутреннем ядре ДРАХМЫ и 8 соответствовать n бит шириной с,
передачи данных одн-половин-час-цикла на штырях I/O.
Дифференциальный строб данных (DQS, DQS#) передан внешне, вместе с
данными, foruse в сборе данных на приемнике входного сигнала DDR3
SDRAM. DQS центр-выровняно с datafor пишет. Прочитанные данные
переданы DDR3 SDRAM и кра-выровняны к стробам thedata. DDR3 SDRAM
работает от дифференциальных часов (CK и CK#). Скрещивание
МАКСИМУМА CKgoing и CK# идя НИЗКО названо положительный край CK.
Контроль, команда, и сигналы адреса зарегистрированы на каждом
положительном крае CK. Входные данные зарегистрированы на первом
поднимая крае DQS после ПИШУТ преамбулу, и данные об объеме
продукции ссылаться на на первом поднимая крае DQS после
ПРОЧИТАННОЙ преамбулы. Чтение и доступы для записи к DDR3 SDRAM
ориентированы на взрыв. Доступ начинает на выбранном положении и
продолжает для запрограммированного количества положений в
programmedsequence. Доступ начинает с регистрацией АКТИВИРУЕТ
команду, которая thenfollowed ЧТЕНИЕМ или ПИШЕТ команду. Двоичные
разряды адреса зарегистрировали сопадающее с АКТИВИРУЮТ команду
использованы для того чтобы выбрать банк и строку, который нужно
получить доступ. Биты адреса зарегистрировали сопадающее с ЧТЕНИЕМ
или ПИШУТ команды использованы к банку selectthe и начиная
положению столбца для разрыванного доступа. Прибор использует
ЧТЕНИЕ и ПИШЕТ BL8 и BC4. Автоматическая функция дозарядки может
beenabled для того чтобы обеспечить само-синхронизированную
дозарядку строки которая начата в конце burstaccess. Как со
стандартной ГДР SDRAM, архитектурой прокладыванной трубопровод,
multibank DDR3 SDRAMallows для одновременной деятельности, таким
образом обеспечивая высокую ширину полосы частот к пряча дозарядка
строки и время активации. Обеспечивают собственную личность
освежает режим, вместе с энергосбережением, режим силы-вниз.
блок-схемы 3.Functional
DDR3 SDRAM высокоскоростное, оперативное запоминающее устройство
CMOS динамическое. Оно internallyconfigured как ДРАХМА 8 банков
4.Why выбирают нас?
100% новое и originao с ценой преимущества
Высокая эффективность
Быстрая доставка
Профессиональное обслуживание команды
10 электронных блоков многолетнего опыта
Агент электронных блоков
Скидка преимущества логистическая
Превосходное послепродажное обслуживание