П печатает, вафля ГаАс с низкой плотностью ямы травления, 2", основная ранг, Эпи готовое

П печатает, вафля ГаАс с низкой плотностью ямы травления, 2", основная ранг, Эпи готовое

ПАМ-СИАМЭН начинает и изготовляет кристалл и вафлю арсенида субстрат-галлия сложного полупроводника. Мы использовали предварительную технологию выращивания кристаллов, вертикальное замораживание градиента (ВГФ) и вафлю ГаАс технологический прочесс, установили производственную линию от выращивания кристаллов, вырезывания, меля к полируя обработке и построили комнату 100 классов чистую для чистки и упаковки вафли. Наша вафля ГаАс включает слиток/вафли 2~6 дюймов для СИД, ЛД и применений микроэлектроники. Мы всегда предназначены для того чтобы улучшить качество в настоящее время подсостояний и начать крупноразмерные субстраты.

Вафли арсенида галлия (ГаАс) для применений СИД

Свойства ГаАс Кристл

Что вафля теста ГаАс?

Большинств вафли теста ГаАс вафли которые падали из основных спецификаций. Вафли теста могут быть использованы для бега марафонов, испытательного оборудования и для лидирующего НИОКР. Они часто рентабельная альтернатива для того чтобы воспламенить вафли.

Что электрические свойства вафли ГаАс

Подвижность и эффект Холла

Приблизительная формула для подвижности Халл

. µн =ΜОХ/(1+Нд·10-17) 1/2, где ΜОХ≈9400 (км2 В-1 с-1), нд в км-3
 

Для ГаАс на температурах близко к 300 к, подвижность Халл отверстия

 (км2В-1с-1), (п - в км-3)
Для слабо данного допинг ГаАс на температуре близко к 300 к, подвижность Халл
µпХ=400 (300/Т) 2,3 (км2 В-1 с-1).

На Т= 300 к, фактор Халл в чистом ГаАс

рХ=1.25.

Свойства перехода в сильных электрических полях

Ионизация удара

2 теории относительно ионизации удара в ГаАс.

Первое заявлять что знаны, что точно достаточно различают αи и βи тарифов ионизацией удара для электронов и отверстий в ГаАс такие тонкие детали как анисотхропы αи и βи для различных кристаллографических направлений. Этот подход описан подробно в работе Дмитриев и др. [1987].

Вторые фокусы школы на значениях αи и βи для такого же электрического поля сообщенного различным исследуют отличаются на порядок величины или больше. Эта точка зрения объяснена Кюрегян и Юрков [1989]. Согласно этому подходу мы можем высказывать предположение о том, что αи = βи. Приблизительная формула для зависимости поля ионизации классифицирует:
=αоексп αи = β и [δ - (δ2 + (Ф0/ф) 2) 1/2]
где αо = 0,245·106 см-1; β = 57,6 Фо = 6,65·106 см-1 в (Кюрегян и Юрков [1989]).

Параметр рекомбинации

Радиационный коэффициент рекомбинации

Коэффициент сверла

Вы ищете вафля ГаАс?

ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для всего вафли, включая вафли ГаАс, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Запросите нас сегодня для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!

Ограничиваемое КО. предварительного материала Сямен Повервай, (ПАМ-СИАМЭН) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника сложного полупроводника материального интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал СиК&ГаН (вафля и эпитаксия СиК, вафля ГаН и вафля епи) и материал ИИИ-В (обслуживание субстрата и епи ИИИ-В: Вафля ИнП, вафля ГаСб, вафля ГаАс, вафля ИнАс и вафля ИнСб). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля ГаН включая ГаН на Си, ГаН на СиК и ГаН на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны РФ.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. ПАМ-СИАМЭН имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30еарс, и имеет глубокое исследование на физическом, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию иметь уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.