тип ранг данная допинг фосфором ориентации 100 теста 4" КЗ н кремниевой пластины 4 дюймов вафля теста

Тип ранг данная допинг фосфором ориентации 100 теста 4" КЗ н кремниевой пластины 4 дюймов вафля теста

ПАМ-СИАМЭН начинает предварительные технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, ряд от субстрата кремния к сложному полупроводнику, субстрату кремния полупроводника предложения ПАМ-СИАМЭН с диаметрами от 1' „(25,4 мм) до 12" „(300 мм). Мы работаем или Кз (Кзокральски) или субстрат кремния ФЗ (зоны поплавка). Полируя процесс также сделан согласно СЭМИ стандарту (оборудование полупроводника и международные стандарты материалов). Мы также работаем ультра тонкая вафля, фильм вафли СиО2 окиси кремния тонкий, фильм вафли Си3Н4 нитрида кремния тонкий, металлизирование на субстрате кремния, и обслуживание вафли епи.

тип ранг данная допинг фосфором ориентации 100 теста 4" КЗ н кремниевой пластины 4инч вафля теста

Чего кремниевая пластина использована для?

Первичное использование кремниевой пластины в интегральных схемаах. Интегральные схемаы приводят много в действие из приборов что современное общество использует каждый день. Компьютеры и смартфоны как раз 2 из приборов которые зависят на этой технологии. Хотя другие полупроводники испытанное дополнительное время, кремний доказывал быть стабилизированным вариантом. Другие пользы включают датчики, как система датчика давления автошины, и фотоэлементы. Кремниевые пластины поглощают фотоны в солнечном свете и это в свою очередь создает электричество.

Вы ищете кремниевая пластина?

ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для вафель полупроводника, включая кремниевые пластины, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Отправьте нами дознание для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы может дать вам технологическую поддержку. отправьте нами электронную почту на sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.