8" фиктивная ранг/механическая кремниевая пластина ранга, ДСП, ± 50μм толщины 725 никакие фильмы царапины вытравляет картины или выпарки

8" фиктивная ранг/механическая кремниевая пластина ранга, ДСП, ± 50μм толщины 725 никакие фильмы царапины вытравляет картины или выпарки

ПАМ-СИАМЭН изготовитель КЗ и кремниевая пластина ФЗ, мы теперь будем всемирным источником для высоких чистых кремниевых пластин, термальным кремнием окиси и вафлями епи. Кремниевая пластина использована для интегральных схема, прибора детектора/датчика, изготовления МЭМС, опто-электронных компонентов, и фотоэлементов и в конце концов применяется к компьютеру, черни, датчику и другой электронике. С богатыми опытами, ПАМ-СИАМЭН понимают ваши требования и могут обеспечить точно продукты кремния вам с соответствующим качеством и предельно низкой ценой. ПАМ-СИАМЭН может обеспечить и стандартные и подгонянные кремниевые пластины для встречи вашей кремниевой пластины полупроводника предложения демандс.ПАМ-СИАМЭН с диаметрами от 1' „(25,4 мм) до 12" „(300 мм). Мы работаем или кремниевые пластины Кз (Кзокральски) или ФЗ (зоны поплавка). Полируя процесс также сделан согласно СЭМИ стандарту (оборудование полупроводника и международные стандарты материалов). Мы также работаем ультра тонкая вафля, фильм вафли СиО2 окиси кремния тонкий, фильм вафли Си3Н4 нитрида кремния тонкий, низложение тонкого фильма и металлизирование на кремниевых пластинах.

8" фиктивная ранг/механическая кремниевая пластина ранга, ДСП, ± 50μм толщины 725, отсутствие царапина/фильмы/картины или выпарки Этч

Что применение кремниевой пластины?

Монокрысталлине кремниевая пластина главным образом использована для того чтобы сделать компоненты полупроводника, свое применение детали: сырье прибора кремния полупроводника, используемое для делать выпрямитель тока наивысшей мощности, транзистор наивысшей мощности, диод, прибор переключателя, етк. Монокрысталлине кремний, который вырос метод Кзокральски главным образом использован в интегральной схемае полупроводника, диод, эпитаксиальный субстрат вафли и фотоэлемент. Кристалл плавить зоны одиночный главным образом использован в поле высоковольтных высокомощных контроллабле приборов выпрямителя тока, широко используемом в высокомощной передаче энергии и преобразовании, электрическом локомотиве, выпрямителе тока, преобразовании частоты, электро-механической интеграции, энергосберегающей лампе, телевидении и других продуктах. Эпитаксиальная вафля главным образом использована в поле интегральных схема

Вы ищете кремниевая пластина?

ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для вафель полупроводника, включая кремниевые пластины, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Отправьте нами дознание для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы может дать вам технологическую поддержку. отправьте нами электронную почту на sales@powerwaywafer.com или powerwaymaterial@gmail.com

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.