12" фиктивная ранг/механическая толщина 650-700/700-750/750μм кремниевой пластины ДСП ранга никакие фильмы царапины вытравляет картины

12" фиктивная ранг/механическая толщина 650-700/700-750/750μм кремниевой пластины ДСП ранга никакие фильмы царапины вытравляет картины

ПАМ-СИАМЭН начинает предварительные технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, ряд от субстрата кремния к сложному полупроводнику, субстрату кремния полупроводника предложения ПАМ-СИАМЭН с диаметрами от 1' „(25,4 мм) до 12" „(300 мм). Мы работаем или Кз (Кзокральски) или субстрат кремния ФЗ (зоны поплавка). Полируя процесс также сделан согласно СЭМИ стандарту (оборудование полупроводника и международные стандарты материалов). Мы также работаем ультра тонкая вафля, фильм вафли СиО2 окиси кремния тонкий, фильм вафли Си3Н4 нитрида кремния тонкий, металлизирование на субстрате кремния, и обслуживание вафли епи.

12" фиктивная ранг/механическая кремниевая пластина ранга, ДСП, толщина 650-700/700-750/750μм, отсутствие царапина/фильмы/картины или выпарки Этч

Что кремниевая пластина?

Кремниевая пластина самый общий полупроводник и наиболее широко используемое в электронном и технологическом секторе, который ключевой компонент в интегральных схемаах, во время добавлений процесса роста преднамеренных допанц можно добавить, что к изменило очищенность кремния в зависимости от чего цель ее будет, бор, алюминий, азот, галлий и индий общие допанц кремния. В зависимости от какому уровню кремнию давал допинг, полупроводник можно рассматривать внешним или дегенеративным. Внешний был слегка к в меру данный допинг тогда как дегенеративный поступок полупроводников больше как проводники из-за высоких уровней давать допинг этому происходит во время изготовления.

ПАМ-СИАМЭН может предложить вам технологию и поддержка вафли, для больше информации, пожалуйста посещает наш вебсайт: https://www.powerwaywafer.com,

отправьте нами электронную почту на sales@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com

Качество наш наиболее высокий приоритет. ПАМ-СИАМЭН ИСО9001: 2008, имеет и делит 4 современных факорис которое могут обеспечить довольно большой ряд квалифицированных продуктов для того чтобы отвечать различные потребностямы наших клиентов, и каждый заказ должен быть обращан через нашу неукоснительную качественную систему. Отчет по испытанию обеспечен для каждой пересылки, и каждая вафля гарантия. Перед 1990, мы заявлены имели сконденсированный исследовательский центр физики дела. В 1990, разбивочное запущенное КО. предварительного материала Сямен Повервай, Лтд (ПАМ-СИАМЭН), теперь это ведущий изготовитель материала сложного полупроводника в Китае.

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.