4" слой кремния Инстринкт верхнего слоя вафли кремния эпитаксиальный/фосфор дало допинг подводной лодке кремния слоя вживления иона слоя

4" слой кремния Инстринкт верхнего слоя вафли кремния эпитаксиальный/фосфор дало допинг подводной лодке кремния слоя вживления иона слоя

Вафля кремния эпитаксиальная слой кремния одиночного кристалла депозированного на одиночную кристаллическую кремниевую пластину (примечание: она имеет в распоряжении вырасти слой поли кристаллического слоя кремния поверх сильно данной допинг в одиночку кристаллической кремниевой пластины, но для этого нужен амортизирующий слой (как окись или поли-Си) между субстратом Си большей части и верхним эпитаксиальным слоем)

Эпитаксиальному слою можно дать допинг, по мере того как он депозирован, к точной давая допинг концентрации пока продолжающ кристаллическое строение субстрата.

Резистивность эпислоя: <1 ohm-cm="" up="" to="" 150="" ohm-cm="">

Толщина эпислоя: < 1="" um="" up="" to="" 150="" um="">

Структура: Н/Н+, Н-/Н/Н+, Н/П/Н+, Н/Н+/П-, Н/П/П+, П/П+, П-/П/П+.

Применение вафли: Цифров, линейные, сила, МОС, приборы БиКМОС.

Наши преимущества с одного взгляда

1. Предварительные оборудование и испытательное оборудование роста эпитаксии.

2. Предложите самое высококачественное с низкой плотностью дефекта и хорошей шероховатостью поверхности.

3. Сильные поддержка и технологическая поддержка научно-исследовательской группы для наших клиентов

Вафля ПАМ-СИАМЭН эпитаксиальная обслуживает спецификации:

• Диаметры: 50мм, 75мм, 100мм, 125мм, 150мм

• Ориентация вафли: <100> <111>, <110>

• Толщина ЭПИ: 4μм до 150μм

• Допанц: Мышьяк, фосфор, бор

• Типичные ряды резистивности

• 0,05 до 1 200 ом-см

• 3000 до 5 000 ом-см (внутреннеприсущие слои)

4" слой кремния Инстринкт верхнего слоя вафли кремния эпитаксиальный/фосфор данный допинг субстрат слоя вживления слоя/иона/кремния

Что вафля епи кремния?

Эпитаксия процесс в котором дополнительный монокрысталлине слой кремния депозирован дальше к отполированной кристаллической поверхности кремниевой пластины. Этот процесс делает его возможной выбрать материальные свойства независимо от отполированного субстрата, и следовательно создать вафли которые имеют различные свойства в субстрате и эпитаксиальном слое. Во многих случаях это необходимо для функции компонента полупроводника.

ПАМ-СИАМЭН может предложить вам технологию и поддержка вафли, для больше информации, пожалуйста посещает наш вебсайт: https://www.powerwaywafer.com,

отправьте нами электронную почту на sales@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com

Качество наш наиболее высокий приоритет. ПАМ-СИАМЭН ИСО9001: 2008, имеет и делит 4 современных факорис которое могут обеспечить довольно большой ряд квалифицированных продуктов для того чтобы отвечать различные потребностямы наших клиентов, и каждый заказ должен быть обращан через нашу неукоснительную качественную систему. Отчет по испытанию обеспечен для каждой пересылки, и каждая вафля гарантия. Перед 1990, мы заявлены имели сконденсированный исследовательский центр физики дела. В 1990, разбивочное запущенное КО. предварительного материала Сямен Повервай, Лтд (ПАМ-СИАМЭН), теперь это ведущий изготовитель материала сложного полупроводника в Китае.

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.