

Add to Cart
12 тип ранг данная допинг фосфором ориентации 100 основная 12"
кремниевой пластины ФЗ п дюйма
ПАМ-СИАМЭН изготовитель КЗ и кремниевая пластина ФЗ, мы теперь
будем всемирным источником для высоких чистых кремниевых пластин,
термальным кремнием окиси и вафлями епи. Кремниевая пластина
использована для интегральных схема, прибора детектора/датчика,
изготовления МЭМС, опто-электронных компонентов, и фотоэлементов и
в конце концов применяется к компьютеру, черни, датчику и другой
электронике. С богатыми опытами, ПАМ-СИАМЭН понимают ваши
требования и могут обеспечить точно продукты кремния вам с
соответствующим качеством и предельно низкой ценой. ПАМ-СИАМЭН
может обеспечить и стандартные и подгонянные кремниевые пластины
для встречи вашей кремниевой пластины полупроводника предложения
демандс.ПАМ-СИАМЭН с диаметрами от 1' „(25,4 мм) до 12" „(300 мм).
Мы работаем или кремниевые пластины Кз (Кзокральски) или ФЗ (зоны
поплавка). Полируя процесс также сделан согласно СЭМИ стандарту
(оборудование полупроводника и международные стандарты материалов).
Мы также работаем ультра тонкая вафля, фильм вафли СиО2 окиси
кремния тонкий, фильм вафли Си3Н4 нитрида кремния тонкий,
низложение тонкого фильма и металлизирование на кремниевых
пластинах.
12инч тип ранг данная допинг фосфором ориентации 100 основная 12"
кремниевой пластины ФЗ п
Тип | Тип кондукции | Ориентация | Диаметр (мм) | Резистивность (Ω•см) |
Высокоомный | Н&П | <100>&<111> | 50 - 300 | >1000 |
НТД | Н | <100>&<111> | 50 - 300 | 30-800 |
КФЗ | Н&П | <100>&<111> | 50 - 300 | 1-50 |
ГД | Н&П | <100>&<111> | 50 - 300 | 0.001-300 |
Параметр | Блок | Значение |
Кристаллическое строение | - | Монокрысталлине |
Метод роста | - | ФЗ |
Ориентировка кристаллов | - | 100 |
Тип електропроводимостьи | - | П |
Допант | - | Бор |
Диаметр | мм | 300±0.2 мм |
Резистивность | Ω/км2 | 8000-14000Ωкм |
Толщина | ум | 650±5µм |
ТТВ | ум | ≤15 ум |
СМЫЧОК | ум | ≤35 ум |
Искривление | ум | ≤35 ум |
Плоскостность СФКД места | ум | 20С20мм: 0.40ум |
Поверхностные металлы (Ал, Ка, Ку, Фе, Ни, Зн, Кр, На) | Атомс/км2 | Макс 5Э10/км2 |
СТИР (Г) | ум | Стандарт клиента |
Плоскостност-СТИР места | ум | Стандарт клиента |
Исключение края метрологии (лпд, механические параметры) | мм | 3 |
ЛПД | - | Μм >= 0,16 ЛПДс µм >= 0,20 ЛПДс <>µм >= 0,30 ЛПДс (включая ПОЛИСМЕН) <>(включая ПОЛИСМЕН) (включая ПОЛИСМЕН) <> |
Концентрация кислорода | ппма | 11-15 ППМА |
Концентрация углерода | ппма | <1e16> |
РРГ | - | ≤15% |
Лицевая поверхность | - | Отполированный |
Задняя поверхность | - | Отполированный |
Состояние поверхности края | СЭМИ СТД или запрос клиента | |
Зазубрина | - | СЭМИ СТД |
Метка лазера | - | СЭМИ СТД или запрос клиента |
Упаковка | Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, Жар-загерметизированные пластиковые сумки внутренней/алюминиевой фольги наружные, Упаковка вакуума | |
Если специфический требование клиентом, отрегулирует соответственно | ||
Параметр | Блок | Значение |
Что кремниевая пластина?
Кремниевая пластина самый общий полупроводник и наиболее широко
используемое в электронном и технологическом секторе, который
ключевой компонент в интегральных схемаах, во время добавлений
процесса роста преднамеренных допанц можно добавить, что к изменило
очищенность кремния в зависимости от чего цель ее будет, бор,
алюминий, азот, галлий и индий общие допанц кремния. В зависимости
от какому уровню кремнию давал допинг, полупроводник можно
рассматривать внешним или дегенеративным. Внешний был слегка к в
меру данный допинг тогда как дегенеративный поступок
полупроводников больше как проводники из-за высоких уровней давать
допинг этому происходит во время изготовления.
ПАМ-СИАМЭН может предложить вам технологию и поддержка вафли, для
больше информации, пожалуйста посещает наш вебсайт:
https://www.powerwaywafer.com,
отправьте нами электронную почту на sales@powerwaywafer.com и
powerwaymaterial@gmail.com
Качество наш наиболее высокий приоритет. ПАМ-СИАМЭН ИСО9001: 2008,
имеет и делит 4 современных факорис которое могут обеспечить
довольно большой ряд квалифицированных продуктов для того чтобы
отвечать различные потребностямы наших клиентов, и каждый заказ
должен быть обращан через нашу неукоснительную качественную
систему. Отчет по испытанию обеспечен для каждой пересылки, и
каждая вафля гарантия. Перед 1990, мы заявлены имели
сконденсированный исследовательский центр физики дела. В 1990,
разбивочное запущенное КО. предварительного материала Сямен
Повервай, Лтд (ПАМ-СИАМЭН), теперь это ведущий изготовитель
материала сложного полупроводника в Китае.