Субстрат КдЗнТе полупроводника используемый для диодов и транзисторов, окна инфракрасн оптически или дисков, компонентов Опитикал

Субстрат КдЗнТе полупроводника используемый для диодов и транзисторов, окна инфракрасн оптически или дисков, компонентов Опитикал

Характер продукции

Вафля германия одиночного кристалла (Ге)

Материалы полупроводника ПАМ-СИАМЭНофферс, кристаллы и вафли Ге, который (германия) одиночные выросло ВГФ/ЛЭК

Общие свойства вафли германия

Ранги и применение вафли германия

Стандартные спецификации германия Кристл и вафли

Особенные размер и ориентация доступны на спрошенных вафлях

Спецификация вафли германия

Процесс вафли германия

В производственном процессе вафли германия, двуокись германия от обработки выпарки более добавочно очищена в шагах хлорирования и гидролиза.

1)Германий особой чистоты получен во время рафинировки зоны.

2)Кристалл германия произведен через процесс Кзокральски.

3)Вафля германия изготовлена через несколько вырезывание, меля, и вытравляя шаги.

4)Очищены вафли и осмотр. Во время этого процесса, вафли одиночная отполированная сторона или двойная сторона отполированное в соответствии с обычаем требование, епи-готовая вафля приходит.

5)Вафли упакованы в одиночных контейнерах вафли, под атмосферой азота.

Применение:

Пробел или окно германия использованы в ночном видении и термографик решениях воображения для коммерчески контрольного оборудования безопасностью, противопожарным и промышленными. Также, они использованы как фильтры для аналитического и измерительного оборудования, окон для удаленного измерения температуры, и зеркал для лазеров.

Тонкие субстраты германия использованы в фотоэлементах тройн-соединения ИИИ-В и для сконцентрированных силой систем ПВ (КПВ).

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.