Вафля ГаСб используемая для ультракрасных детекторов, ультракрасных СИД и лазеров и транзисторов, и систем Тхэрмофотоволтайк

Вафля ГаСб используемая для ультракрасных детекторов, ультракрасных СИД и лазеров и транзисторов, и систем Тхэрмофотоволтайк

Характер продукции

ПАМ-СИАМЭН предлагает вафлю ГаСб сложного полупроводника – антимонид галлия которое растется ЛЭК (Кзокральски помещенным жидкостью) как епи-готовая или механическая ранг с типом н, типом п или полу-изолировать в различной ориентации (111) или (100).

Антимонид галлия (ГаСб) семикондуктинг смесь галлия и сурьмы семьи ИИИ-В. Он имеет константу решетки около 0,61 нм. ГаСб можно использовать для ультракрасных детекторов, ультракрасных СИД и лазеров и транзисторов, и термофотоволтайк систем.

спецификация вафли ГаСб 4 ″

1)″ 2 (50.8мм), вафля ГаСб 3 ″ (76.2мм)

Ориентация: (100) ±0.5°
Толщина (μм): 500±25; 600±25
Тип/Допант: П/ундопед; П/Си; П/Зн
Нк (км-3): (1~2) Э17
Подвижность (км2/В ·с): 600~700
Метод роста: КЗ
Блеск: ССП

2)вафля ГаСб 2 ″ (50.8мм)
Ориентация: (100) ±0.5°
Толщина (μм): 500±25; 600±25
Тип/Допант: Н/ундопед; П/Те
Нк (км-3): (1~5) Э17
Подвижность (км2/В ·с): 2500~3500
Метод роста: ЛЭК
Блеск: ССП

3)вафля ГаСб 2 ″ (50.8мм)
Ориентация: (111) А±0.5°
Толщина (μм): 500±25
Тип/Допант: Н/Те; П/Зн
Нк (км-3): (1~5) Э17
Подвижность (км2/В ·с): 2500~3500; 200~500
Метод роста: ЛЭК
Блеск: ССП

4)вафля ГаСб 2 ″ (50.8мм)
Ориентация: (111) Б±0.5°
Толщина (μм): 500±25; 450±25
Тип/Допант: Н/Те; П/Зн
Нк (км-3): (1~5) Э17
Подвижность (км2/В ·с): 2500~3500; 200~500
Метод роста: ЛЭК
Блеск: ССП

5)вафля ГаСб 2 ″ (50.8мм)
Ориентация: (111) Б 2дег.офф
Толщина (μм): 500±25
Тип/Допант: Н/Те; П/Зн
Нк (км-3): (1~5) Э17
Подвижность (км2/В ·с): 2500~3500; 200~500
Метод роста: ЛЭК
Блеск: ССП

Относительные продукты:
Вафля ИнАс
Вафля ИнСб
Вафля ИнП
Вафля ГаАс
Вафля ГаСб
Вафля зазора

Антимонид галлия (ГаСб) можно поставить как вафли с финишами как-отрезка, вытравленных или отполированных и доступен в широком диапазоне концентрации, диаметра и толщины несущей.

Материал ГаСб представляет интересные свойства для приборов (TPV) одиночного соединения термофотоволтайк. ГаСб: Кристалл Те, который одиночный выросли с Кзокральски (Cz) или доработанными методами кральски Кзо- (Мо-Кз) и проблема однородности Те обсужена. По мере того как подвижность несущей один из узловых пунктов для оптового кристалла, измерения Халл унесены. Мы представляем здесь некоторые комплементарные развития основанные на точке зрения материальной обработки: оптовое выращивание кристаллов, подготовка вафли, и вытравливание вафли. Последующие шаги после этих связаны с п/никакой разработкой соединения р н/п. Некоторые результаты полученные для различных подходов к разработки тонк-слоя. Так от простого процесса диффузии участка пара или жидкофазового процесса эпитаксии до процесса низложения химического пара металла органического мы сообщаем некоторую материальную характерность.

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.