Ундопед вафля ИнСб, 2", отполированная вафля, Эпи готовое

Ундопед вафля ИнСб, 2", отполированная вафля, Эпи готовое

ПАМ-СИАМЭН изготовляет вафли ИнСб одиночного кристалла особой чистоты (антимонида индия) для фотодиодов или фотоелектроманьетик прибора, датчиков магнитного поля используя магнетосопротивление или эффекта Холла, быстрых транзисторов (по отоношению к динамическому переключению) должных к высокой подвижности несущей ИнСб, в некоторых из детекторов ультракрасной камеры массива на космическом телескопе Спицер. Наши стандартные диаметры вафли выстраивают в ряд от 1 дюйма до 3 дюйма, вафли можно произвести в различных толщинах и различных ориентациях (100), (111), (110) с отполированными вафлями и пустыми вафлями. ПАМ-СИАМЭН может произвести ранги широкого диапазона: основная ранг, ранг теста, фиктивная ранг, механическая ранг, и оптически ранг. ПАМ-СИАМЭН также предлагают материал ИнСб к спецификациям клиента запросом, в дополнение к изготовленным на заказ составам для применений рекламы и исследования и новых собственнических технологий.

Ундопед вафля ИнСб, 2", отполированная вафля, Эпи готовое

Основные параметры на 300 к из вафли ИнСб

Вы ищете вафля ИнСб?

ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для всего вафли, включая вафли ИнСб, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Запросите нас сегодня для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.