Ундопед вафля ИнСб, 2", как - отрежьте вафлю, механическую вафлю, или отполированную вафлю

 
Ундопед вафля ИнСб, 2", вафля Как-отрезка, механическая вафля, или отполированная вафля
 

ПАМ-СИАМЭН обеспечивает рост вафли ИнСб одиночного кристалла (антимонида индия) помещенным жидкостью методом Кзокральски (LEC). Антимонид индия (ИнСб) можно поставить как вафли с финишами как-отрезка, вытравленных или отполированных и доступен в широком диапазоне концентрации несущей, диаметр и тхикнесс.ПАМ-СИАМЭН могут обеспечить вафлю ИнСб ранга епи готовую для вашего применения МОКВД & МБЭ эпитаксиального.

Ундопед вафля ИнСб, 2", вафля Как-отрезка, механическая вафля, или отполированная вафля

Пожалуйста свяжитесь наша команда инженера для больше данных по вафли.

 
Концентрация лентообразной структуры и несущей вафли ИнСб

Концентрация лентообразной структуры и несущей вафли ИнСб включает основные параметры, температуру, зависимость, зависимость перепада энергии на гидростатическом давлении, эффективные массы, дарителей и акцепторы

Основные параметры
Зависимость температуры
Зависимость перепада энергии на гидростатическом давлении
Эффективные массы
Дарители и акцепторы

Основные параметры

Зависимость температуры

Зависимость температуры перепада энергии

Например = 0,24 до 6·10-4·Т2/(Т+500) (еВ),
где т температуры в градусах к (0 < T="">  

Эффективная плотность состояний в зоне проводимости

Нк~ 8·1012·Т3/2 (км-3)

Эффективная плотность состояний в валентной полосе

Нн | 1,4·1015·Т3/2 (км-3).

Концентрация внутреннеприсущей несущей

ни = (Нк·Нν) 1/2експ (- например (2кбТ))
Для 200К < T="">  

Зависимость на гидростатическом давлении

Например ≈ например (0) + 13,7·10-3П - 3,6·10-5П2 (еВ)
ЭЛ≈ЭЛ (0) + 4,7·10-3П - 1,1·10-5П2 (еВ)
ЭС≈ЭС (0) - 3,5·10-3П + 0,64·10-5П2 (еВ),
где п давление в кбар.

Эффективные массы

Дарители и акцепторы

Энергии ионизацией мелких дарителей ~0,0007 (еВ):

Се, с, Те.

Энергии ионизацией мелких акцепторов (еВ):

Вы ищете субстрат ИнСб?

ПАМ-СИАМЭН гордо предложить субстрат фосфида индия для всех различных видов проектов. Если вы ищете вафли ИнСб, то отправьте нами дознание сегодня для того чтобы выучить больше о том, как мы можем работать с вами для того чтобы получить вам вафли ИнСб вам для вашего следующего проекта. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.