Вафля арсенида индия ЛЭК как ранг епи готовая или механическая с типом типом п или семи изолировать н в различном Востоке

Вафля арсенида индия ЛЭК как епи-готовая или механическая ранг с типом н, типом п или полу-изолировать в различном Востоке

ПАМ-СИАМЭН предлагает вафлю ИнАс сложного полупроводника - арсенид индия которое растется ЛЭК (Кзокральски помещенным жидкостью) как епи-готовая или механическая ранг с типом н, типом п или полу-изолировать в различной ориентации (111) или (100).

Арсенид индия, ИнАс, полупроводник составленный индия и мышьяка. Он имеет возникновение серых кубических кристаллов с точкой плавления арсенида индия 942 °К. использован для конструкции ультракрасных детекторов, для диапазона длины волны µм 1-3.8. Детекторы обычно фотовольтайческие фотодиоды. Криогенно охлаженные детекторы имеют малошумное, но детекторы ИнАс можно использовать в более высокомощных применениях на комнатной температуре также. Арсенид индия также использован для делать из лазеров диода.

Арсенид индия подобен арсениду галлия и сразу материал бандгап. Арсенид индия иногда использован вместе с фосфидом индия. Сплавленный с арсенидом галлия он формирует арсенид галлия индия - материал с иждивенцем зазора диапазона на коэффициенте Ин/Га, метод главным образом подобный сплавляя нитриду галлия нитридевитх индия для того чтобы произвести нитрид галлия индия.

Здесь детальная спецификация:

2" (50.8мм) спецификация вафли ИнАс

3" (76.2мм) спецификация вафли ИнАс

4" (100мм) спецификация вафли ИнАс

2" спецификация вафли ИнАс

3" спецификация вафли ИнАс

4" спецификация вафли ИнАс

1)2" (50.8мм) ИнАс
Тип/Допант: Н/С
Ориентация: [111Б] ±0.5°
Толщина: 500±25ум
Эпи-готовый
ССП

2)2" (50.8мм) ИнАс
Тип/Допант: Н/Ундопед
Ориентация: (111) б
Толщина: 500ум±25ум
ССП

3)2" (50.8мм) ИнАс
Тип/Допант: ООН-данный допинг н
Ориентация: <111>±0.5°
Толщина: 500ум±25ум
епи-готовый
Концентрация<> несущей Ра (км-3): 1Э16~3Э16
Подвижность (см -2): >20000
ЭПД (см -2):<15000> ССП

4)2" (50.8мм) ИнАс
Тип/Допант: Н/Ундопед
Ориентация: <100> с [001] О.Ф.
Толщина: 2мм
КАК отрезано

5)2" (50.8мм) ИнАс
Тип/Допант: Н/П
Ориентация: (100),
Концентрация несущей (км-3): (5-10) Э17,
Толщина: 500 ум
ССП

Все вафли предложены с отделкой высококачественной эпитаксии готовой. Поверхности охарактеризованы внутренними, предварительными оптически методами метрологии которые включают помох Сурфскан и контроль частицы, спектроскопическую интерферометрию еллипсометры и скользящего падения

Влияние температуры нагрева при отжиге на оптически свойствах поверхностных слоев накопления электрона в н типа (1 0 0) вафлях ИнАс было расследовано спектроскопией Раман. Оно показывает что пики Раман должные к разбрасывать негрохочеными фононами ЛО исчезают с увеличением температуры, которая показывает что слой накопления электрона в поверхности ИнАс исключен путем обжигать. Включенный механизм был проанализирован спектроскопией фотоэлектрона рентгеновского снимка, дифракцией рентгеновских лучей и электронной просвечивающей микроскопией высоко-разрешения. Результаты показывают что аморфические участки Ин2О3 и Ас2О3 сформированы на поверхности ИнАс во время отжига и, между тем, тонкого кристаллического по мере того как слой на интерфейсе между окисленным слоем и вафлей также произведен которое водит к уменшению в толщине поверхностного слоя накопления электрона в виду того что как адатомс введите тип поверхностные государства акцептора.

Относительные продукты:
 

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.