П печатает, субстрат одиночного Кристл ИнАс, 3", основная ранг

П печатает, субстрат одиночного Кристл ИнАс, 3", основная ранг

ПАМ-СИАМЭН изготовляет вафли арсенида индия одиночного кристалла особой чистоты для применений оптической электроники. Наши стандартные диаметры вафли выстраивают в ряд от 25,4 мм (1 дюйма) до 100 мм (6 дюймов) в размере; вафли можно произвести в различных толщинах и ориентациях с отполированными или уньполишед сторонами и могут включить допанц. ПАМ-СИАМЭН может произвести ранги широкого диапазона: основная ранг, механическая ранг, ранг теста, фиктивная ранг, техническая ранг, и оптически ранг. ПАМ-СИАМЭН также предлагает материалы к спецификациям клиента запросом, в дополнение к изготовленным на заказ составам для применений рекламы и исследования и новых собственнических технологий.

3" спецификация вафли ИнАс

Что вафля ИнАс?

Арсенид индия вид материала сложного полупроводника ИИИ-В составленного индия и мышьяка. Это твердое тело серебряного серого цвета с кристаллической структурой сфалерита на комнатной температуре. Константа решетки 0.6058нм, и плотность 5.66г/км (твердое тело) и 5.90г/км (жидкость на точке плавления). Лентообразная структура сквозной переход с зазором диапазона (300К) 0.45ев давление диссоциаций как только 0.033мпа, и одиночный кристалл можно вырасти от мельт на атмосферном давлении. Обыкновенно используемые методы Хб и ЛЭК. ИнАс вид материала полупроводника который труден для того чтобы очистить. Остаточная концентрация несущей выше чем л × 10/см, подвижность электрона комнатной температуры 3,3 ^ 3км × 10/(в · с), и дырочная подвижность 460км/(в · с). Эффективный коэффициент сегрегации серы внутри внутри и как близко к 1, поэтому она использованы как н типа допант для того чтобы улучшить единообразие продольного распределения концентрации несущей. Для промышленного кристалла ИнАс (с) одиночного, × 10 ≥ 1 н/км3, × 10км ≤ 2,0 μ/(в · с), × 10 ≤ 5 ЭПД/км3.

Кристалл ИнАс имеет высокий коэффициент подвижности электрона и подвижности (μ е/μ х = 70), низкое влияние сопротивления магнето и низкий коэффициент температуры сопротивления. Идеальный материал для изготовлять приборы Халл и приборы сопротивления магнето. Длина волны излучения ИнАс 3,34 μ М. в ГаАс б, ИнАсПСб и материалы инасб множественные эпитаксиальные с соответствовать решетки можно вырасти на субстрате ИнАс. Лазеры и детекторы для связи стекловолокна на диапазоне частот μ 2-4 могут быть изготовлены.

Что вафля теста ИнАс?

Большинств вафли теста вафли которые падали из основных спецификаций. Вафли теста могут быть использованы для бега марафонов, испытательного оборудования и для лидирующего НИОКР. Они часто рентабельная альтернатива для того чтобы воспламенить вафли.

Электрические свойства вафли ИнАс

Основные параметры

Подвижность и эффект Холла

На т = 300 к фактор Халл электрона в чистом рХ ~1,3 н-ИнАс.

Свойства перехода в сильных электрических полях

Ионизация удара

Для электронов:

αи = αоексп (- Фно/ф)
αо = 1,8·105 см-1;
Фно = 1,6·105 см-1 в (77 к)

Для отверстий:

βи = βоексп (- Фпо/ф)
На 77 к

Параметры рекомбинации

Характерные поверхностные тарифы рекомбинации (см с-1) 102 до 104.

Радиационный коэффициент рекомбинации

Коэффициент сверла

Вы ищете субстрат ИнАс?

ПАМ-СИАМЭН гордо предложить субстрат фосфида индия для всех различных видов проектов. Если вы ищете вафли ИнАс, то отправьте нами дознание сегодня для того чтобы выучить больше о том, как мы можем работать с вами для того чтобы получить вам вафли ИнАс вам для вашего следующего проекта. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.