китай категории
Русский язык

Основная/механическая вафля ИнП ранга, тип н, тип п или Полу-изолировать в ориентации (100) или (111)

Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:1-10,000пкс
Термины компенсации:T/T
Срок поставки:10 000 вафель/месяц
контакт

Add to Cart

Активный участник
Xiamen Fujian China
Адрес: #506B, деловый центр Henghui, No.77, дорога Lingxia Nan, высокотехнологичная зона, Huli, Xiamen 361006, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 11 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте
Механическая вафля ИнП ранга, тип н, тип п или Полу-изолировать в ориентации (100) или (111)
 

ПАМ-СИАМЭН предлагает вафлю ИнП сложного полупроводника - фосфид индия которое растется ЛЭК (Кзокральски помещенным жидкостью) или ВГФ (вертикальным замораживанием градиента) как епи-готовая или механическая ранг с типом н, типом п или полу-изолировать в различной ориентации (111) или (100).

Фосфид индия (InP) бинарный полупроводник составленный индия и фосфора. Он имеет кристаллическую структуру гранецентрированной кубической решетки («сфалерита цинка»), идентичную к этому из ГаАс и большему части из полупроводников ИИИ-В. Фосфид индия можно подготовить от реакции иодида белого фосфора и индия [нужного пояснения] на 400 °К., [5] также сразу сочетанием из очищенные элементы на высокой температуре и давлении, или термическим распадом смеси смеси и фосфида индия триалкыл. ИнП использован в высокомощной и высокочастотной электронике [нужной цитации] из-за своей главной скорости электрона по отношению к более общим полупроводникам кремнию и арсениду галлия.

Здесь детальная спецификация:
2" (50.8мм) спецификация вафли ИнП
3" (76.2мм) спецификация вафли Иньп
4" (100мм) вафля Спесификатио ИнП
 
2" спецификация вафли ИнП
 
 
ДетальСпецификации
ДопантН типаН типаП типаСИ типа
Тип кондукцииУндопедСераЦинклрон
Диаметр вафли2"
Ориентация вафли(100) ±0.5°
Толщина вафли350±25ум
Основная плоская длина16±2мм
Вторичная плоская длина8±1мм
Концентрация несущей3кс1016км-3(0.8-6) кс1018км-3(0.6-6) кс1018км-3Н/А
Подвижность(3.5-4) кс103км2/В.с(1.5-3.5) кс103км2/В.с50-70кс103км2/В.с>1000км2/В.с
РезистивностьН/АН/АН/АН/А
ЭПД<1000cm>-2<500cm>-2<1x10>3см-2<5x10>3см-2
ТТВ<10um>
СМЫЧОК<10um>
ИСКРИВЛЕНИЕ<12um>
Маркировка лазерапо требованию
Финиш СуфасеП/Э, П/П
Эпи готовоеда
ПакетОдиночные контейнер или кассета вафли

 


3" спецификация вафли ИнП

 

 
ДетальСпецификации
ДопантН типаН типаП типаСИ типа
Тип кондукцииУндопедСераЦинклрон
Диаметр вафли3"
Ориентация вафли(100) ±0.5°
Толщина вафли600±25ум
Основная плоская длина16±2мм
Вторичная плоская длина8±1мм
Концентрация несущей≤3кс1016км-3(0.8-6) кс1018км-3(0.6-6) кс1018км-3Н/А
Подвижность(3.5-4) кс103км2/В.с(1.5-3.5) кс103км2/В.с50-70кс103км2/В.с>1000км2/В.с
РезистивностьН/АН/АН/АН/А
ЭПД<1000cm>-2<500cm>-2<1x10>3см-2<5x10>3см-2
ТТВ<12um>
СМЫЧОК<12um>
ИСКРИВЛЕНИЕ<15um>
Маркировка лазерапо требованию
Финиш СуфасеП/Э, П/П
Эпи готовоеда
ПакетОдиночные контейнер или кассета вафли

 

 
4" спецификация вафли ИнП
 
 
 
ДетальСпецификации
ДопантН типаН типаП типаСИ типа
Тип кондукцииУндопедСераЦинклрон
Диаметр вафли4"
Ориентация вафли(100) ±0.5°
Толщина вафли600±25ум
Основная плоская длина16±2мм
Вторичная плоская длина8±1мм
Концентрация несущей≤3кс1016км-3(0.8-6) кс1018км-3(0.6-6) кс1018км-3Н/А
Подвижность(3.5-4) кс103км2/В.с(1.5-3.5) кс103км2/В.с50-70кс103км2/В.с>1000км2/В.с
РезистивностьН/АН/АН/АН/А
ЭПД<1000cm>-2<500cm>-2<1x10>3см-2<5x10>3см-2
ТТВ<15um>
СМЫЧОК<15um>
ИСКРИВЛЕНИЕ<15um>
Маркировка лазерапо требованию
Финиш СуфасеП/Э, П/П
Эпи готовоеда
ПакетОдиночные контейнер или кассета вафли
 
China Основная/механическая вафля ИнП ранга, тип н, тип п или Полу-изолировать в ориентации (100) или (111) supplier

Основная/механическая вафля ИнП ранга, тип н, тип п или Полу-изолировать в ориентации (100) или (111)

Запрос Корзина 0