Полу-изолировать, вафля ИнП (фосфида индия) кристаллическая, 3", фиктивная ранг

Полу-изолировать, вафля ИнП (фосфида индия) кристаллическая, 3", фиктивная ранг

ПАМ-СИАМЭН предлагает вафлю ИнП – фосфид индия которое растется ЛЭК (Кзокральски помещенным жидкостью) или ВГФ (вертикальным замораживанием градиента) как епи-готовая или механическая ранг с типом н, типом п или полу-изолировать в различной ориентации (111) или (100).

Фосфид индия (InP) бинарный полупроводник составленный индия и фосфора. Он имеет кристаллическую структуру гранецентрированной кубической решетки («сфалерита цинка "), идентичную к этому из ГаАс и большему части из полупроводников ИИИ-В. Фосфид индия можно подготовить от реакции иодида белого фосфора и индия [нужного пояснения] на 400 °К., [5] также сразу сочетанием из очищенные элементы на высокой температуре и давлении, или термическим распадом смеси смеси и фосфида индия триалкыл. ИнП использован в высокомощной и высокочастотной электронике [нужной цитации] из-за своей главной скорости электрона по отношению к более общим полупроводникам кремнию и арсениду галлия.

Полу-изолирующ, вафля ИнП, 3", фиктивная ранг

Что процесс ИнП?

Вафли ИнП необходимо подготовить до изготовления прибора. Для начала, их необходимо совершенно очистить для того чтобы извлечь любое повреждение которое могло произойти во время отрезая процесса. Вафли после этого химически механически отполированы/Пларанризед (CMP) для окончательного материального этапа удаления. Это учитывает достижение сверх-плоских зеркальноподобных поверхностей с остальной шершавостью в атомном масштабе. Позже это завершено, вафля готово для изготовления.

Основные параметры

Применение телекоммуникаций/Датаком

Фосфид индия (InP) использован для произведения эффективных лазеров, чувствительных фотодетекторов и модуляторов/демодулятор в окне длины волны типично используемом для радиосвязей, т.е., 1550 длин волны нм, по мере того как сразу материал сложного полупроводника бандгап ИИИ-В. Длина волны между около 1510 нм и 1600 нм имеет самую низкую амортизацию доступную на стекловолокне (около 0,26 дБ/км). ИнП обыкновенно используемый материал для поколения сигналов лазера и обнаружения и преобразования тех сигналов назад к электронной форме. Диаметры вафли выстраивают в ряд от 2-4 дюймов.

Применения являются следующими:

• Соединения стекловолокна долгого пути над большим расстоянием до 5000 км типично >10 Тбит/с

• Сети доступа кольца метро

• Сети и центр данных компании

• Волокно к дому

• Соединения с беспроводными базовыми станциями 3Г, ЛТЭ и 5Г

• Спутниковая связь открытого космоса

Вы ищете субстрат ИнП?

ПАМ-СИАМЭН гордо предложить субстрат фосфида индия для всех различных видов проектов. Если вы ищете вафли ИнП, то отправьте нами дознание сегодня для того чтобы выучить больше о том, как мы можем работать с вами для того чтобы получить вам вафли ИнП вам для вашего следующего проекта. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.