П печатает, вафля фосфида индия, 4", ранг теста - производство вафли ИнП
Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:1-10,000пкс
Термины компенсации:T/T
Способность поставкы:10 000 вафель/месяц
Срок поставки:5-50 рабочих дней
Упаковывая детали:Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо
контакт
Add to Cart
Активный участник
Xiamen Fujian China
Адрес:
#506B, деловый центр Henghui, No.77, дорога Lingxia Nan, высокотехнологичная зона, Huli, Xiamen 361006, Китай
последний раз поставщика входа:
в рамках 11 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
П печатает, вафля фосфида индия, 4", ранг теста - производство
вафли ИнП
ПАМ-СИАМЭН обеспечивает вафлю ИнП одиночного кристалла (фосфида
индия) для микроэлектронной (ХЭМТ ХБТ/) и опто-электронной
индустрии (СИД/ДВДМ/ПИН/ВКСЭЛс) в диаметре до 6 дюймов. Кристалл
(InP) фосфида индия сформирован 2 элементами, индием и фосфидами,
ростом помещенным жидкостью методом Кзокральски (LEC) или методом
ВГФ. Вафля ИнП важный материал которые имеют главные электрические
и термальные свойства, вафля полупроводника ИнП имеет более высокую
подвижность электрона, более высокую частоту, потребление низкой
мощности, более высокую термальную проводимость и малошумное
представление. ПАМ-СИАМЭН может обеспечить вафлю ИнП ранга епи
готовую для вашего применения МОКВД & МБЭ эпитаксиального.
Пожалуйста свяжитесь наша команда инженера для больше данных по
вафли.
П печатает, вафля фосфида индия, 4", ранг теста
| 4" спецификация вафли ИнП | ||||
| Деталь | Спецификации | |||
| Тип кондукции | П типа | |||
| Допант | Цинк | |||
| Диаметр вафли | 4" | |||
| Ориентация вафли | 100±0.5° | |||
| Толщина вафли | 600±25ум | |||
| Основная плоская длина | 16±2мм | |||
| Вторичная плоская длина | 8±1мм | |||
| Концентрация несущей | ≤3кс1016км-3 | (0.8-6) кс1018км-3 | (0.6-6) кс1018км-3 | Н/А |
| Подвижность | (3.5-4) кс103км2/В.с | (1.5-3.5) кс103км2/В.с | 50-70км2/В.с | >1000км2/В.с |
| Резистивность | Н/А | Н/А | Н/А | >0.5кс107Ω.км |
| ЭПД | <1000cm>-2 | <1x10>3км-2 | <1x10>3км-2 | <5x10>3км-2 |
| ТТВ | <15um> | |||
| СМЫЧОК | <15um> | |||
| ИСКРИВЛЕНИЕ | <15um> | |||
| Маркировка лазера | по требованию | |||
| Финиш Суфасе | П/Э, П/П | |||
| Эпи готовое | да | |||
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли | |||
Факты фосфида индия
- Фосфид индия (InP) включает фосфор и индий и бинарный полупроводник.
- Он имеет кристаллическую структуру зинкбленде подобную ГаАс и почти всем полупроводникам ИИИ-В.
- Он имеет главную скорость электрона должную к что он использован в высокочастотной и высокомощной электронике.
- Он имеет сразу бандгап, не похож на много полупроводников.
- Фосфид индия также использован как субстрат для электронно-оптических приборов.
- Молекулярный вес: 145,792 г/мол
- Точка плавления: °К 1062 (°Ф 1943,6)
- Его можно использовать для виртуально любого электронного устройства которое требует быстрого хода или наивысшей мощности.
- Оно имеет один из длинн-живых оптически фононов сколько угодно смеси с кристаллической структурой зинкбленде.
- ИнП самый важный материал для поколения сигналов лазера и обнаружения и преобразования тех сигналов назад к электронной форме.
| Фиельд зависимость скорости дрейфа электронов в ИнП, К. 300. Твердая кривая теоретический расчет. Брошенный и точечная пунктирная кривая измеренные данные. (Малоней и Фрей [1977]) и ( Гонцалез Санчез и др. [1992]). | |
| Зависимость поля скорости дрейфа электронов для сильных
электрических полей. Т (К): 1. 95; 2. 300; 3. 400. ( Виндхорн и др. [1983]). | |
| Фиельд зависимость скорости дрейфа электронов на различных
температурах. Изогните 1 -77 к ( Гонцалез Санчез и др. [1992]). Кривая 2 до 300 к, изогните 3 - 500 к (Фавсетт и Холм [1975]). | |
| Электронная температура против электрического поля для К. 77 к и
300. (Малоней и Фрей [1977]) | |
| Часть электронов в долинах нЛ/но и нС/но л и кс как функция
электрического поля, К. 300. (Бородовскии и Осадчии [1987]). | |
| Зависимость частоты η эффективности вначале (сплошная линия) и на
второй (гармонике брошенной линии) в режиме ЛСА. Симуляция Монте-Карло. Ф = Фо + Ф1·грех (2π·фт) + Ф2·[грех (4π·фт) +3π/2], См-1 Фо=Ф1=35 кВ, См-1 Ф2=10.5 кВ (Бородовскии и Осадчии [1987]). | |
| Продольный (д || Ф) и поперечные (⊥ ф д) коэффициенты диффузии
электронов на К. 300. Симуляция Монте-Карло ансамбля. (Айшима и Фукусима [1983]). | |
| Продольный (д || Ф) и поперечные (⊥ ф д) коэффициенты диффузии
электронов на 77К. Симуляция Монте-Карло ансамбля. (Айшима и Фукусима [1983]). |
Применение телекоммуникаций/Датаком
Фосфид индия (InP) использован для произведения эффективных
лазеров, чувствительных фотодетекторов и модуляторов/демодулятор в
окне длины волны типично используемом для радиосвязей, т.е., 1550
длин волны нм, по мере того как сразу материал сложного
полупроводника бандгап ИИИ-В. Длина волны между около 1510 нм и
1600 нм имеет самую низкую амортизацию доступную на стекловолокне
(около 0,26 дБ/км). ИнП обыкновенно используемый материал для
поколения сигналов лазера и обнаружения и преобразования тех
сигналов назад к электронной форме. Диаметры вафли выстраивают в
ряд от 2-4 дюймов.
Применения являются следующими:
• Соединения стекловолокна долгого пути над большим расстоянием до
5000 км типично >10 Тбит/с
• Сети доступа кольца метро
• Сети и центр данных компании
• Волокно к дому
• Соединения с беспроводными базовыми станциями 3Г, ЛТЭ и 5Г
• Спутниковая связь открытого космоса
Вы ищете субстрат ИнП?
ПАМ-СИАМЭН гордо предложить субстрат фосфида индия для всех различных видов проектов. Если вы ищете вафли ИнП, то отправьте нами дознание сегодня для того чтобы выучить больше о том, как мы можем работать с вами для того чтобы получить вам вафли ИнП вам для вашего следующего проекта. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!
П печатает, вафля фосфида индия, 4", ранг теста - производство вафли ИнП
Запрос Корзина
0