особая чистота 4Х Семи изолируя вафлю СиК, ранг продукции, 3" размер, низкая концентрация несущей

особая чистота 4Х Семи изолируя вафлю СиК, ранг продукции, 3" размер, низкая концентрация несущей

ПАМ-СИАМЭН обеспечивает высококачественную индустрию ваферфор СиК одиночного кристалла (кремниевого карбида) электронную и электронно-оптическую. Вафля СиК электрические свойства материалвитх полупроводника следующего поколени уникальные и превосходные термальные свойства для применения прибора высокой температуры и наивысшей мощности. Вафлю СиК можно поставить в диаметре 2~6 дюймов, и 4Х и 6Х СиК, Н типа, данный допинг азот, и полу-изолируя тип доступный. Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации

Особая чистота Семи изолируя вафлю СиК: Должный к широкому зазору диапазона, концентрация внутреннеприсущей несущей вафли СиК очень низка на комнатной температуре. Это значение о 0.13км-3 для 3К СиК, о 5кс10^-2км2 для 4Х СиК и о 1кс10^- 6 км-3 для 6Х СиК. Это главная причина, по которой электронные устройства СиК могут работать на высокой температуре и течение утечки очень небольшое.

 
СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ

 
особая чистота 4Х Семи изолируя вафлю СиК, ранг продукции, 3" размер

Выращивание кристаллов СиК

Оптовое выращивание кристаллов метод для изготовления одиночных кристаллических субстратов, делая основание для более дополнительной обработки прибора. Для того чтобы иметь прорыв в технологии СиК очевидно нам нужно продукция субстрата СиК с возпроизводимым просесс.6Х- и кристаллы 4Х- СиК растутся в графитовых тиглях в условиях высоких температур до 2100-2500°К. рабочая температура в тигле обеспечена или индуктивным (РФ) или сопротивляющимся топлением. Рост происходит на тонких семенах СиК. Источник представляет поликристаллическую обязанность порошка СиК. Пар СиК в камере роста главным образом состоит из 3 видов, намелы, Си, Си2К, и СиК2, которые разбавлены газом несущей, например, аргон. Развитие источника СиК включает и временную вариацию пористости и диаметра зерна и награфитивание зерен порошка.

 
Рост 3К-СиК на субстратах обширного района (кремния)
Несмотря на отсутствие субстратов СиК, потенциальные преимущества электроники враждебн-окружающей среды СиК однако управляли скромными научно-исследовательскими работами направленными на получать СиК в мануфактурабле форме вафли. К этому концу, хэтероепитаксял рост слоев одно-Кристл СиК поверх силиконсубстратес обширного района сперва был унесен в 1983, и затем был следовать большими много других с годами используя разнообразие методы роста. Главным образом вследствие больших разниц в константе решетки (разнице в ~20% между СиК и Си) и коэффициенте теплового расширения (разнице в ~8%), хэтероепитаксы СиК используя кремний как субстрат всегда приводит в росте 3К-СиК с очень хигх-денситы кристаллографических структурных дефектов как штабелировать недостатки, микротвинс, и границы домена заворота. Другие материалы вафли ларгеареа кроме кремния (как сапфир, кремний на изоляторе, и ТиК) были использованы как субстраты для хэтероепитаксял роста эпислоев СиК, но приводя фильмы качества компараблыпоор с высокими кристаллографическими плотностями дефекта. Самый многообещающий подход 3К-СиК-он-силикон на сегодняшний день который достигал самой низкой кристаллографической плотности дефекта включает пользу ундулант субстратов кремния. Однако, даже с этим сильно новым подходом, плотности дислокации остаются очень высокими сравненные к вафлям СиК кремния и большей части шестиугольным.
Пока некоторые ограниченные электронные устройства и цепи полупроводника были снабжены в 3К-СиК, который выросли на кремнии, представление этих электроника (от этого сочинительства) можно суммировать как строго ограниченный высокой плотностью кристаллографических дефектов к степени которую почти никаким из рабочих преимуществ обсуженных в разделе 5,3 жизнеспособно осуществляло. Среди других проблем, дефекты кристалла «протекают» паразитное течение через обратн-пристрастные соединения прибора где настоящая подача не пожелана. Потому что чрезмерные дефекты кристалла водят к недостаткам электрического прибора, пока еще никакая коммерчески электроника изготовленная в 3К-СиК, который выросли на субстратах обширного района. Таким образом, 3К-СиК, который выросли на кремнии в настоящее время имеет больше потенциала по мере того как механический материал в микроелектромечаникал применениях систем (МЭМС) (разделе 5.6.5) вместо быть использованным чисто как полупроводник в традиционной полупроводниковой электронике транзистора.

Ограничиваемое CO. предварительного материала Xiamen Powerway, (PAM-XIAMEN) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника материала сложного полупроводника интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал SiC&GaN (вафля и эпитаксия SiC, вафля GaN и вафля epi) и материал III-V (обслуживание субстрата и epi III-V: Вафля InP, вафля GaSb, вафля GaAs, вафля InAs и вафля InSb). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля GaN включая GaN на Si, GaN на SiC и GaN на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны RF.

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. PAM-XIAMEN имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30years, и имеет глубокое исследование на медицинском осмотре, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию имеет уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.